20NM50是一款功率MOSFET晶体管,常用于高功率和高频率的开关应用。这款器件采用了先进的平面工艺技术,具有低导通电阻、高耐压能力和快速开关特性。它广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、电机控制和各类工业电子设备中。
类型:功率MOSFET
结构:N沟道
漏极-源极电压(Vds):500V
栅极-源极电压(Vgs):±20V
连续漏极电流(Id):20A
工作温度范围:-55°C至150°C
封装类型:TO-220、TO-3P、TO-247等
20NM50具有以下显著特性:
首先,它的低导通电阻(Rds(on))能够有效降低导通损耗,提高整体效率。这在高电流应用中尤为重要。
其次,这款MOSFET的高耐压能力(500V)使其适用于高电压环境,确保器件在恶劣条件下仍能稳定工作。
此外,20NM50具备快速开关特性,能够减少开关损耗,适用于高频率开关操作。
该器件的封装形式多样,包括TO-220、TO-3P和TO-247等,适应了不同的电路设计需求和散热要求。
最后,其高可靠性确保了在严苛工业环境中的长期稳定运行。
20NM50广泛应用于多个领域:
在电源管理方面,这款MOSFET常用于开关电源(SMPS)、DC-DC转换器以及功率因数校正(PFC)电路中,以提高电源转换效率。
在工业自动化和电机控制领域,20NM50被用于驱动高功率电机和负载,其快速开关特性有助于实现精确控制。
此外,该器件也常见于逆变器系统,例如太阳能逆变器和UPS不间断电源,用于高效的能量转换。
消费类电子产品中,如高功率LED驱动电路和家电控制模块,20NM50也能发挥重要作用。
汽车电子方面,该器件可用于车载充电系统、电动助力转向系统(EPS)和车载逆变器。
24N50, 20N50, 18N50