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20N60C 发布时间 时间:2025/12/29 13:40:27 查看 阅读:13

20N60C是一款N沟道增强型功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机控制以及各种功率电子设备中。该器件具有高耐压、大电流容量和低导通电阻的特点,适用于需要高效能和高可靠性的应用场景。20N60C的封装形式通常为TO-220或TO-3P,便于散热和安装。

参数

类型:N沟道增强型MOSFET
  漏源电压(Vds):600V
  连续漏极电流(Id):20A(@25℃)
  导通电阻(Rds(on)):≤0.22Ω(最大值)
  栅极阈值电压(Vgs(th)):2V ~ 4V
  最大功率耗散(Pd):125W(TO-220封装)
  工作温度范围:-55℃ ~ +150℃
  封装类型:TO-220、TO-3P

特性

20N60C具有多项优异的电气和热性能特性。首先,其高耐压能力(600V)使其适用于中高功率的开关应用,例如AC-DC电源适配器、LED驱动器和工业电机控制。其次,导通电阻较低(最大0.22Ω),能够有效降低导通损耗,提高系统效率。此外,该MOSFET具有较高的热稳定性和耐久性,能够在高温环境下稳定工作,增强了设备的可靠性。
  在动态性能方面,20N60C具备快速开关能力,可有效减少开关过程中的能量损耗,适用于高频开关电路。其栅极驱动电压范围适中(2V至4V),兼容常见的驱动电路设计,简化了外围驱动电路的复杂度。同时,该器件具备良好的雪崩能量承受能力,提高了在突变负载或过压情况下的安全性。
  从封装角度来看,TO-220和TO-3P封装形式具备良好的散热性能,便于安装在散热片上,确保长时间高负载工作的稳定性。

应用

20N60C广泛应用于多种功率电子设备中,包括但不限于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS):用于AC-DC转换器中的主开关元件,提高能效和稳定性。
  2. 逆变器和UPS系统:作为功率开关,实现直流到交流的高效转换。
  3. 电机驱动与控制:用于直流电机或步进电机的驱动电路中,提供高电流输出能力。
  4. LED照明驱动:适用于大功率LED灯具的恒流驱动电路。
  5. 电池充电器:作为功率开关元件,实现高效的充电控制。
  6. 工业自动化设备:用于PLC、继电器驱动模块和工业电源系统。

替代型号

25N60C、18N60C、FQA20N60C、K2143、K2647

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