20N60是一种常见的高压MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要应用于开关电源、逆变器、电机驱动等场景。该器件采用N沟道增强型结构,具有较低的导通电阻和较高的耐压能力。其封装形式通常为TO-220,适合于中高功率的应用场合。
20N60的特点在于其较高的漏源极击穿电压(通常为600V),能够满足多种高压应用场景的需求。同时,它也具备较快的开关速度和良好的热稳定性。
最大漏源电压:600V
最大栅源电压:±20V
漏极电流(连续):9.2A
漏极电流(脉冲):48A
导通电阻:0.5Ω
总功耗:160W
结温范围:-55℃至175℃
20N60具有以下显著特性:
1. 高耐压能力,能够承受高达600V的漏源极电压。
2. 较低的导通电阻,在大电流应用中能有效减少功率损耗。
3. 快速的开关速度,有助于提高系统效率并降低电磁干扰。
4. 稳定的工作性能,能够在较宽的温度范围内正常运行。
5. TO-220封装设计,便于散热处理,适合中高功率应用环境。
这些特性使得20N60在各种电力电子设备中表现出色,特别是在需要高压和高效能转换的场景下。
20N60广泛应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS):用于DC-DC转换器或AC-DC适配器中的开关元件。
2. 逆变器:作为核心功率开关器件,实现直流到交流的转换。
3. 电机驱动:控制电机的启动、停止和调速操作。
4. 电池充电器:用于高效能量转换和管理。
5. 荧光灯电子镇流器:提供稳定的工作电流以点亮荧光灯。
6. 其他高压开关应用:如工业自动化设备、家用电器等。
由于其出色的电气特性和可靠性,20N60成为众多高压电路设计中的首选元器件。
IRFZ44N
STP36NF06
FQP50N06L