类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压（Vds）：500V
　　连续漏极电流（Id @ 25°C）：20A
　　脉冲漏极电流（Idm）：80A
　　栅源电压（Vgs）：±30V
　　导通电阻（Rds(on) @ Vgs = 10V）：典型值0.22Ω，最大值0.27Ω
　　阈值电压（Vgs(th)）：2.0V ~ 4.0V
　　输入电容（Ciss）：典型值1100pF @ Vds=25V
　　输出电容（Coss）：典型值360pF @ Vds=25V
　　反向恢复时间（trr）：约45ns
　　工作结温范围（Tj）：-55℃ ~ +150℃
　　封装形式：TO-220/TO-220F

20N50K-MT的核心特性之一是其高电压阻断能力，漏源击穿电压高达500V，使其能够在高压直流母线系统中安全可靠地工作，例如在AC-DC开关电源、离线式反激变换器或PFC（功率因数校正）电路中作为主开关器件使用。这一高耐压特性确保了即使在电网波动或瞬态浪涌条件下，器件仍能维持正常工作而不发生击穿失效。
　　另一个关键优势是其低导通电阻Rds(on)，在Vgs=10V时典型值仅为0.22Ω，这显著降低了导通状态下的功率损耗，提高了系统的整体能效。尤其在大电流负载条件下，低Rds(on)有助于减少发热，延长器件寿命，并降低对散热系统的要求，进而减小整机体积和成本。
　　该MOSFET还具备较低的栅极电荷（Qg）和米勒电容（Crss），这意味着在高频开关应用中所需的驱动功率较小，开关速度更快，开关损耗更低。这对于工作频率在数十kHz至数百kHz的电源拓扑尤为重要，如LLC谐振变换器或有源钳位反激电路，有助于实现更高的功率密度和动态响应性能。
　　此外，20N50K-MT具有良好的热稳定性与抗雪崩能力，能够在短时过载或感性负载关断过程中承受一定的能量冲击，提升了系统在异常工况下的安全性。其TO-220封装便于安装于散热片上，增强了热传导效率，确保长时间高负荷运行下的温度可控。综合来看，这些特性使20N50K-MT成为中等功率电力电子设备中理想的功率开关选择。

20N50K-MT广泛应用于各类需要高效、高压开关能力的电力电子设备中。在开关模式电源（SMPS）领域，它常被用作主开关管，特别是在反激式、正激式或双管正激拓扑结构中，适用于适配器、充电器、工业电源模块等产品。其500V耐压等级恰好匹配整流后约310V的直流母线电压，具备足够的安全裕量应对电压尖峰。
　　在LED驱动电源中，该器件可用于隔离式恒流驱动方案，提供稳定的能量传输并支持调光功能。由于其良好的开关特性和低损耗表现，有助于提高驱动电源的效率和功率因数，满足能源之星或CE认证要求。
　　此外，20N50K-MT也适用于小型逆变器系统，如太阳能微逆变器或UPS不间断电源中的DC-AC转换环节，承担高频切换任务。在电机控制方面，可用于低压直流电机或步进电机的H桥驱动电路中，实现精确的速度与方向控制。
　　工业自动化设备中的电磁阀驱动、继电器开关缓冲电路以及电焊机、激光电源等特种电源装置也是其典型应用场景。得益于其坚固的封装和宽泛的工作温度范围，该器件可在工业现场复杂电磁环境和温变条件下稳定运行，展现出优异的环境适应能力。

K20N50, 20N50L, FQA20N50, STP20NM50, IRFP460LC