时间：2025/12/28 19:33:40
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20KPA192A 是一款由意法半导体（STMicroelectronics）生产的功率MOSFET晶体管，广泛应用于高功率开关电路中。该器件采用了先进的沟道技术，具有低导通电阻和高效率的特性，适用于电源转换器、马达驱动器和功率放大器等多种应用场景。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流（ID）：20A
最大漏源电压（VDS）：190V
导通电阻（RDS(on)）：0.095Ω
最大功耗（PD）：200W
封装类型：TO-247
工作温度范围：-55°C至175°C
20KPA192A MOSFET 具有优异的电气性能和可靠性，其主要特点包括低导通电阻（RDS(on)）以减少导通损耗，从而提高整体效率；高耐压能力使其适用于高压电源转换系统；此外，该器件具有良好的热稳定性，能够在高功率条件下保持稳定运行。
该MOSFET采用TO-247封装，具备良好的散热性能，适用于高功率密度设计。其栅极驱动电压范围较宽，支持常见的10V至15V驱动电压，便于与各种驱动电路兼容。
在短路和过载条件下，该器件具有一定的耐受能力，结合适当的保护电路可提高系统稳定性。此外，20KPA192A的快速开关特性使其适用于高频开关应用，如DC-DC转换器和同步整流器。
20KPA192A MOSFET 主要应用于高功率开关电路，包括但不限于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、逆变器、马达驱动器、电池管理系统以及工业自动化设备中的功率控制模块。由于其优异的导通性能和耐压能力，该器件也常用于新能源系统，如太阳能逆变器和电动汽车的功率电子设备。
STP20N190K5, FCP20N190K, IRF2807
