时间:2025/12/26 21:13:02
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20CTQ045STRRPBF是一款由ON Semiconductor(安森美)生产的肖特基势垒二极管阵列,采用中心抽头配置,专为高频开关电源应用设计。该器件封装在TO-277A(DPAK-3)表面贴装封装中,具有低正向电压降和快速反向恢复特性,能够显著提高电源转换效率并减少热损耗。20CTQ045STRRPBF的额定平均整流电流为20A,最大反向重复峰值电压为45V,适用于低压、大电流输出的DC-DC转换器,尤其是在同步整流拓扑中表现出色。该器件符合RoHS标准,不含铅(Pb),属于“绿色”环保产品,适合现代高密度、高能效电子设备的应用需求。其结构由两个肖特基二极管共阴极连接,形成中心抽头形式,常用于全波整流电路中,特别适用于服务器电源、电信设备、笔记本电脑适配器等对效率和散热有严格要求的场合。
型号:20CTQ045STRRPBF
类型:肖特基势垒二极管(中心抽头)
封装:TO-277A(DPAK-3)
平均整流电流:20A
最大反向重复峰值电压:45V
最大正向压降:0.58V(在20A,Tc=125°C时)
最大反向漏电流:0.5mA(在45V,Tc=125°C时)
工作结温范围:-65°C 至 +150°C
热阻:1.2°C/W(RθJC)
安装方式:表面贴装
符合标准:RoHS,无卤素,符合JESD625-AU工艺
引脚数:3
20CTQ045STRRPBF的核心优势在于其卓越的电学性能与高效的热管理能力。该器件采用先进的肖特基势垒技术,利用金属-半导体结实现单向导电性,避免了传统PN结二极管的少数载流子存储效应,从而实现了极快的开关速度和几乎为零的反向恢复时间。这一特性使其在高频开关电源中能够有效降低开关损耗,提升整体系统效率。其正向压降仅为0.58V(在20A、125°C条件下),相比传统硅二极管大幅降低了导通损耗,尤其在大电流输出场景下节能效果显著。此外,由于正向压降低,发热量减少,有助于简化散热设计,提升系统可靠性。
该器件的20A额定电流能力结合TO-277A封装,提供了良好的电流承载能力和热传导路径。TO-277A封装设计允许通过PCB上的铜层或散热焊盘将热量高效传导至外部环境,热阻RθJC仅为1.2°C/W,表明从芯片结到外壳的热传递效率非常高。这种低热阻特性使得器件在高负载工况下仍能保持较低的工作温度,延长使用寿命。同时,表面贴装封装便于自动化生产,提高组装效率和一致性。
20CTQ045STRRPBF具备优异的温度稳定性,在高温环境下反向漏电流控制良好(最大0.5mA @ 45V, 125°C),确保在恶劣工作条件下仍能维持可靠性能。其宽泛的工作结温范围(-65°C 至 +150°C)使其适用于各种严苛环境,包括工业级和通信级应用场景。此外,该器件通过了严格的可靠性测试,符合AEC-Q101汽车级认证标准,尽管主要面向工业和通信市场,但其鲁棒性也适用于部分汽车电子系统。
作为中心抽头结构的双二极管,20CTQ045STRRPBF特别适用于同步整流型DC-DC变换器中的次级侧整流环节。在LLC谐振转换器、VRM(电压调节模块)和POL(点负载)电源中,该器件可替代传统的MOSFET驱动复杂电路,在简化设计的同时提供稳定的整流功能。其低电感封装结构也有助于减少高频噪声和EMI干扰,提升电磁兼容性。总体而言,20CTQ045STRRPBF是一款高性能、高可靠性的功率整流器件,广泛应用于追求高效率和紧凑设计的现代电源系统中。
20CTQ045STRRPBF主要用于各类高效率、高频率的直流电源转换系统中。典型应用包括服务器和数据中心的高密度电源模块,其中需要在有限空间内实现大电流输出,该器件的低损耗和高效散热特性正好满足这一需求。在电信基础设施设备如基站、交换机和路由器的电源单元中,该器件用于次级整流电路,提升系统整体能效并降低运行温度。此外,在工业电源、嵌入式系统和高端消费类电子产品(如游戏主机、高性能笔记本电脑适配器)中,20CTQ045STRRPBF也常被用作同步整流或自由轮续流二极管。由于其符合环保标准且具备高可靠性,该器件也适用于工业自动化控制系统、医疗电源模块以及部分新能源领域的辅助电源系统。在光伏逆变器和储能系统的控制电路中,该器件可用于低压直流环节的整流保护。总之,任何需要低压、大电流、高效率整流的场合都是20CTQ045STRRPBF的理想应用场景。
MBR2045CTG
VS-20CTQ045-M3
STPS20L45CG
FDL20H45C