型号：20CTQ045SPBF
　　制造商：ON Semiconductor
　　器件类型：双肖特基势垒二极管（共阴极）
　　最大重复反向电压（VRRM）：45V
　　最大直流反向电压（VR）：45V
　　平均整流电流（IO）：20A（总，双二极管）
　　单个二极管平均整流电流（IF(AV)）：10A
　　峰值非重复浪涌电流（IFSM）：150A
　　最大正向电压降（VF）：0.57V @ 10A, TJ=125°C
　　典型结温（TJ）范围：-65°C 至 +175°C
　　存储温度范围（TSTG）：-65°C 至 +175°C
　　封装类型：TO-277（Surface Mount）
　　引脚数：3
　　工作结温：175°C
　　反向漏电流（IR）：0.5mA @ 45V, TJ=25°C；50mA @ 45V, TJ=150°C
　　热阻抗（RθJC）：约1.8°C/W
　　安装方式：表面贴装

20CTQ045SPBF的核心优势在于其优异的电学性能与紧凑高效的封装设计相结合。首先，作为一款肖特基二极管，它利用金属-半导体结形成势垒，从而实现比传统PN结二极管更低的正向导通压降。在典型工作条件下（如10A电流、结温125°C时），其正向电压仅为0.57V左右，这意味着每个二极管的导通损耗仅约为5.7W，极大地提升了电源系统的能效表现。尤其在低压大电流输出的应用中（例如12V转5V或更低电压的DC-DC变换器），这种低VF特性可以显著减少发热，提升可靠性。
　　其次，该器件具备非常快的开关响应能力。由于肖特基二极管本质上是多数载流子器件，不存在少数载流子存储效应，因此没有反向恢复电荷（Qrr ≈ 0）和反向恢复时间（trr）。这一特点使其在高频开关环境中几乎不会产生额外的开关损耗或引起电压尖峰，有助于简化滤波电路设计并降低EMI辐射水平。这对于现代高密度、高频率的开关电源拓扑（如同步整流Buck、Boost或LLC谐振转换器）至关重要。
　　第三，20CTQ045SPBF采用TO-277表面贴装封装，不仅节省PCB空间，还通过三个引脚提供了更强的电流承载能力和更好的散热路径。中间引脚通常连接到散热焊盘，可通过PCB上的热过孔将热量迅速传导至内层或底部，从而有效控制结温上升。该封装支持回流焊工艺，兼容自动化生产流程，适合大批量制造应用。
　　最后，器件的工作结温高达175°C，表明其可在高温环境下长期可靠运行，适用于严苛工业或通信电源场合。同时，其低漏电流设计在常温下保持稳定，尽管高温下漏电流有所增加，但在正常工作范围内仍处于可控水平。总体而言，20CTQ045SPBF凭借低VF、无Qrr、良好热性能和高可靠性，成为高性能电源设计中的关键元件。

20CTQ045SPBF主要应用于需要高效、高频整流功能的电力电子系统中。最常见的用途是在中低电压输出的DC-DC降压（Buck）转换器中作为同步整流器的辅助二极管，用于在MOSFET体二极管导通期间提供低损耗通路，或者在轻载模式下参与能量回馈。此外，它也广泛用于隔离式电源拓扑（如正激、反激、推挽和LLC谐振转换器）的次级侧整流环节，特别是在多相供电架构中，多个20CTQ045SPBF并联使用可分担大电流负载，提升整体效率和热分布均匀性。
　　在服务器和数据中心的高功率密度电源模块中，该器件因其出色的热管理和高频性能而备受青睐。其表面贴装形式便于实现紧凑布局，满足对体积敏感的设计需求。同样，在电信基础设施设备（如基站电源、光传输模块供电单元）中，20CTQ045SPBF帮助实现90%以上的转换效率，并支持宽输入电压范围下的稳定运行。
　　除此之外，该二极管还可用于电池充电管理系统、电动工具电源适配器、工业自动化控制器电源以及高端消费类电子产品（如游戏主机、笔记本电脑适配器）的次级整流电路。在这些应用中，低导通损耗直接转化为更少的散热器需求和更高的功率密度。值得一提的是，由于其共阴极结构，两个独立但共享阴极的二极管可用于双路输出或交错并联设计，进一步优化动态响应和纹波抑制能力。总之，凡是对效率、尺寸和可靠性有较高要求的电源系统，都是20CTQ045SPBF的理想应用场景。

STPS20H100CT
　　MBRF20H45CT
　　VS-20CTQ045-M3