型号：20CTQ040S
　　制造商：ON Semiconductor (ONSEMI)
　　器件类型：超快软恢复二极管
　　配置：双共阴极（Dual Common Cathode）
　　最大重复峰值反向电压（VRRM）：400V
　　最大直流阻断电压（VR）：400V
　　平均整流电流（Io per diode）：20A
　　峰值非重复浪涌电流（IFSM）：300A（单个半正弦波8.3ms）
　　最大正向压降（VF）：0.55V @ 1A, 0.90V @ 10A（典型值，具体取决于温度）
　　反向恢复时间（trr）：35ns（典型值）
　　最大反向漏电流（IR）：0.5mA @ 25°C, 50mA @ 150°C
　　工作结温范围（TJ）：-65°C 至 +175°C
　　存储温度范围（TSTG）：-65°C 至 +175°C
　　封装类型：TO-247AC
　　安装方式：通孔（Through Hole）
　　极数：3（三引脚：两阳极一公共阴极）

20CTQ040S的核心优势在于其卓越的反向恢复性能与低导通损耗的结合。该器件采用专有的超快软恢复技术，使得在高频开关过程中能够显著降低反向恢复电荷（Qrr）和反向恢复电流尖峰，有效减少开关损耗并抑制电压振铃现象。这对于提升电源系统的整体效率、降低EMI噪声以及延长功率开关器件（如MOSFET或IGBT）的寿命至关重要。其35ns的典型反向恢复时间确保了即使在数百kHz的工作频率下仍能保持高效运行。
　　另一个关键特性是其高达175°C的最大工作结温，这赋予了器件出色的热稳定性，允许在高温工业环境或密闭空间内使用而无需过度依赖散热措施。同时，20A的持续整流电流能力和300A的浪涌电流承受能力使其适用于大功率拓扑结构，例如全桥或半桥整流电路。TO-247封装提供了良好的热传导路径，便于连接散热器以实现更优的热管理。
　　20CTQ040S还具备极低的正向压降，在轻载和重载条件下均能维持较高的能效表现，减少能量以热量形式耗散。此外，其软恢复特性意味着反向恢复过程平滑，不会产生剧烈的dI/dt变化，进一步增强了系统的电磁兼容性。器件经过严格的质量控制和可靠性测试，具备高抗浪涌能力和长期稳定性，适合用于通信电源、服务器电源、太阳能逆变器、电机驱动等对可靠性要求极高的领域。

20CTQ040S广泛应用于各类高效率、高频开关电源系统中。典型用途包括作为输出整流二极管用于服务器电源、电信整流器和工业级AC-DC电源模块，尤其适用于同步整流难以实施或成本敏感的设计中。在DC-DC转换器中，它常被用作续流二极管，提供低损耗的电流回路路径，提升转换效率。在PFC（功率因数校正）电路中，也可作为升压二极管使用，凭借其快速恢复特性和低Qrr，有效降低开关节点的应力。
　　此外，该器件适用于各种逆变器拓扑，如UPS不间断电源、太阳能光伏逆变器和电机驱动中的辅助电源部分。在这些应用中，20CTQ040S不仅承担能量传递功能，还需应对复杂的动态负载变化和瞬态冲击，其高浪涌电流能力和稳定的电气参数保障了系统在异常工况下的鲁棒性。由于其双共阴极结构，两个独立二极管可分别用于不同的相位整流或并联使用以增大电流容量，提高了设计灵活性。
　　其他应用场景还包括感应加热设备、焊接电源、LED驱动电源以及各类高可靠性工业电源系统。因其符合RoHS指令且不含铅，也满足现代电子产品对环保法规的要求，适合出口型产品设计。无论是在自然冷却还是强制风冷环境中，20CTQ040S都能表现出稳定的电气性能，是高性能电源设计中的理想选择。

STTH30R04TV1
　　VS-20CTQ040-M3