时间:2025/12/26 20:56:36
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20CTQ035SPBF是一款由ON Semiconductor(安森美)生产的肖特基势垒二极管(Schottky Barrier Diode),采用中心抽头配置,专为高效率、高频开关电源应用设计。该器件封装在TO-277(DPAK-3)表面贴装封装中,具有低正向电压降和快速反向恢复特性,适用于需要高效能功率转换的场合。20CTQ035SPBF的最大重复反向电压为35V,总平均整流电流可达20A,非常适合用于低压、大电流输出的电源系统中。由于其优异的热性能和紧凑的封装设计,这款二极管广泛应用于服务器电源、笔记本电脑适配器、DC-DC变换器以及电池充电电路等场景。该器件符合RoHS标准,并且“Pb-free”标识(后缀PbF或SPBF)表明其为无铅产品,满足环保要求。此外,20CTQ035SPBF具备良好的抗浪涌能力和高温工作稳定性,能够在恶劣环境下保持可靠运行。其内部结构采用双二极管共阴极配置,特别适合同步整流拓扑中的次级侧整流使用,有助于提升整体转换效率并减少散热需求。
型号:20CTQ035SPBF
制造商:ON Semiconductor
封装类型:TO-277 (DPAK-3)
二极管配置:中心抽头(双二极管共阴极)
最大重复反向电压(VRRM):35V
最大平均整流电流(IO):20A
峰值正向浪涌电流(IFSM):120A(8.3ms单半波)
最大正向电压降(VF):0.54V @ 10A, Tc=25°C
典型结温范围(TJ):-65°C 至 +150°C
热阻结至外壳(RθJC):1.2°C/W
安装方式:表面贴装
引脚数:3
工作温度范围:-65°C ~ +150°C
反向漏电流(IR):0.5mA @ 35V, TJ=25°C
20CTQ035SPBF的核心优势在于其低正向导通压降与高电流承载能力的结合,这使得它在低压大电流电源系统中表现出卓越的能量转换效率。在典型工作条件下,当通过10A电流时,其正向压降低至0.54V左右,显著减少了功率损耗和热量产生,从而降低了对散热系统的依赖。这种高效的能量传输特性尤其适用于现代高密度电源设计,如便携式电子设备和数据中心电源模块。
该器件采用肖特基势垒技术,不存在少数载流子存储效应,因此具有极快的开关速度和近乎瞬时的反向恢复时间,有效避免了传统PN结二极管在高频开关过程中产生的反向恢复电荷问题。这一特性不仅提升了系统效率,还减少了电磁干扰(EMI),有利于简化滤波电路设计。
TO-277封装提供了优良的热传导路径,RθJC仅为1.2°C/W,意味着即使在高负载条件下也能有效将热量从PN结传递到PCB,确保长期可靠性。同时,表面贴装形式便于自动化生产,适合大规模SMT组装工艺。
中心抽头结构使其特别适用于全波整流电路,在隔离式DC-DC变换器中可替代两个独立的肖特基二极管,节省布局空间并简化布线。此外,该器件具备较强的浪涌电流承受能力(高达120A),可在启动或负载突变期间提供可靠的保护。
20CTQ035SPBF的工作结温范围宽达-65°C至+150°C,适应各种严苛环境下的应用需求,包括工业控制、通信电源及汽车电子等领域。其无铅(Pb-free)设计符合RoHS指令要求,支持绿色环保制造流程。综合来看,这款二极管凭借高性能、高可靠性和环保特性,成为现代高效电源系统中的理想选择。
20CTQ035SPBF广泛应用于各类需要高效、低压整流的电源系统中。典型应用场景包括:服务器和工作站的板载DC-DC转换器、笔记本电脑和移动设备的AC-DC适配器、电信和网络设备电源模块、电池充电管理系统、分布式电源架构中的中间母线转换器(IBC)、以及光伏逆变器中的辅助电源部分。由于其低正向压降和高电流处理能力,该器件常被用于同步整流拓扑的次级侧整流环节,以替代传统的快恢复二极管,从而显著提高转换效率并降低温升。此外,在高频率开关电源(如LLC谐振转换器、有源钳位反激变换器)中,20CTQ035SPBF能够发挥其快速响应和低损耗的优势,帮助实现更高的功率密度和更小的散热器尺寸。在工业电源和嵌入式系统中,该器件也用于防止反向电流流动和提供瞬态保护。其表面贴装封装形式使其适用于自动化贴片生产线,适合大批量电子产品制造。在汽车电子领域,尽管不是AEC-Q101认证器件,但在非车载动力系统的辅助电源中也有一定应用潜力,尤其是在对成本和效率有较高要求的消费类车载设备中。
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