时间:2025/12/26 18:50:50
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20CJQ045是一款由Vishay Semiconductor生产的表面贴装肖特基势垒二极管阵列,采用共阴极配置,封装为TO-252(D-Pak)。该器件专为高效率、高频开关应用而设计,广泛应用于电源转换、DC-DC变换器、续流与反向阻断等场景。其结构包含两个独立的肖特基二极管共用阴极连接,有助于减少PCB布局面积并提升功率密度。20CJQ045以其低正向压降、快速开关响应和良好的热性能著称,适合在紧凑型电源系统中实现高效能表现。该器件符合RoHS指令,支持无铅焊接工艺,并具备较高的可靠性,适用于工业控制、消费电子和通信设备等多种环境。
作为一款额定电流为20A、反向重复峰值电压为45V的肖特基二极管模块,20CJQ045在大电流低电压输出的同步整流拓扑中表现出色。其金属-半导体结结构避免了少数载流子存储效应,从而消除了反向恢复时间(trr),降低了开关损耗,提升了整体系统效率。此外,TO-252封装提供了良好的散热能力,可通过焊盘优化热阻路径,确保在高温环境下稳定运行。
型号:20CJQ045
制造商:Vishay Semiconductor
器件类型:肖特基势垒二极管阵列(共阴极)
最大重复反向电压(VRRM):45 V
平均整流电流(IF(AV)):20 A
峰值正向浪涌电流(IFSM):150 A
最大正向压降(VF):0.53 V @ 10 A, 125°C
最大反向漏电流(IR):400 μA @ 45 V, 125°C
反向恢复时间(trr):典型值为0 ns(无反向恢复电荷)
工作结温范围(TJ):-65 °C 至 +175 °C
存储温度范围(Tstg):-65 °C 至 +175 °C
封装形式:TO-252 (D-Pak)
安装方式:表面贴装(SMD)
引脚数:3
极性配置:双共阴极(Dual Common Cathode)
20CJQ045的核心优势在于其采用的肖特基势垒技术,这种金属-半导体结结构显著降低了正向导通压降,相较于传统的PN结二极管可减少15%~30%的能量损耗。在10A电流下,其典型正向压降仅为0.53V,在大电流应用场景中有效降低功耗并减少发热。由于没有P-N结中的少数载流子注入与复合过程,该器件不具备反向恢复时间(trr ≈ 0),因此在高频开关电路中不会产生额外的反向恢复电流尖峰,极大减少了电磁干扰(EMI)和开关节点振铃现象,提高了系统的稳定性与效率。
该器件具有优异的热性能,TO-252封装设计允许通过大面积铜箔或散热焊盘将热量迅速传导至PCB,热阻RθJA典型值约为35°C/W(取决于PCB布局),使其能够在持续高负载条件下保持较低的工作温度。此外,宽泛的工作结温范围(-65°C至+175°C)使其适用于极端环境下的工业与汽车电子应用。内部两个独立但共阴极的二极管结构便于在双路输出或多相整流拓扑中使用,节省空间的同时简化布线复杂度。
20CJQ045还具备出色的抗浪涌能力,可承受高达150A的非重复峰值电流(8.3ms单半波),增强了对瞬态过流事件的耐受性。其反向漏电流在高温下仍保持较低水平(最大400μA @ 45V, 125°C),避免了因漏电增加导致的静态功耗上升问题。器件经过严格的可靠性测试,包括高温反偏(HTRB)、高温存储(HTSL)和温度循环试验,确保长期运行的稳定性。所有材料符合RoHS标准,并支持回流焊工艺,适应现代自动化生产流程。
20CJQ045广泛应用于各类需要高效整流与低损耗续流功能的电源系统中。典型用途包括开关模式电源(SMPS)中的次级侧整流,特别是在低压大电流输出的DC-DC转换器中,如用于服务器、笔记本电脑和显卡供电的VRM(电压调节模块)。其低VF特性有助于提升轻载与满载条件下的整体转换效率,满足能源之星或80 PLUS等能效认证要求。
在便携式设备和电池管理系统中,该器件可用于防止电池反接或实现充放电路径隔离。同时,它也常被用作续流二极管(Freewheeling Diode)在电机驱动、继电器和电感负载切换电路中抑制反电动势,保护主开关器件(如MOSFET或IGBT)。在太阳能逆变器和LED驱动电源中,20CJQ045凭借其快速响应和低损耗特性,有助于提高系统可靠性和寿命。
此外,该器件适用于汽车电子系统,例如车载充电器(OBC)、DC-DC转换器和辅助电源单元,在高温引擎舱环境中依然能够稳定工作。其表面贴装封装便于自动化组装,适合大规模生产。在通信基础设施设备(如基站电源、光模块供电)中,20CJQ045也有广泛应用,以确保信号完整性与电源纯净度。
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