型号：20BQ100TR
　　封装：DPAK (TO-252)
　　配置：共阴极双二极管
　　最大重复反向电压（VRRM）：100V
　　最大直流阻断电压（VR）：100V
　　最大平均整流电流（IO）：20A
　　峰值非重复浪涌电流（IFSM）：80A
　　正向压降（VFM）：0.52V @ 10A, Tj=25°C
　　最大反向漏电流（IR）：0.1mA @ 25°C, 100V
　　工作结温范围：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +150°C
　　热阻结到壳（RθJC）：1.5°C/W
　　安装扭矩：1.0~2.0 N·m

20BQ100TR的核心特性之一是其低正向压降表现，在高电流负载条件下仍能维持较低的导通损耗。这一特性源于其采用的肖特基势垒结构，利用金属-半导体接触形成整流效应，避免了传统PN结二极管中的少数载流子注入与复合过程，从而大幅降低正向压降和开关损耗。在10A电流下，典型VFM仅为0.52V，相比普通快恢复二极管可节省数瓦的功耗，特别适用于高频率、高效率的开关电源拓扑如LLC谐振变换器或同步整流架构。
　　其次，该器件具备优异的热性能与电流承载能力。20A的额定整流电流意味着单个封装可支持较大功率输出，减少并联需求，简化电路布局。DPAK封装底部带有散热片，可通过PCB上的大面积铜箔实现高效散热，热阻RθJC低至1.5°C/W，有助于控制结温上升，提升长期可靠性。同时，其宽工作温度范围（-55°C至+150°C）使其能在工业级甚至部分汽车级环境中稳定运行。
　　第三，20BQ100TR具有良好的动态响应能力和较低的反向恢复电荷（Qrr）。虽然肖特基二极管本身属于多数载流子器件，理论上无少子存储效应，但在高压肖特基设计中可能存在一定的寄生电容和边缘漏电问题。为此，Comchip对该器件进行了结构优化，通过引入场限制环（Field Plate）或JTE（结终端延伸）技术来均匀电场分布，抑制高温下的漏电流激增现象，提高耐压稳定性。测试数据显示，其在125°C时的反向漏电流仍控制在可接受范围内，避免因热失控导致失效。
　　此外，该器件符合RoHS和无卤素标准，适用于消费类电子、通信电源、光伏逆变器、电动工具电源等多种应用场景。其表面贴装封装形式便于自动化生产，提高组装效率，并支持回流焊工艺。综合来看，20BQ100TR在性能、可靠性与制造兼容性之间实现了良好平衡，是中高功率密度电源设计中的优选方案之一。

20BQ100TR主要应用于各类高效率开关电源系统中，特别是在需要低压降和快速响应的整流环节表现出色。典型应用包括服务器电源、台式机ATX电源、LED驱动电源以及电信整流模块等。在这些系统中，它常被用作次级侧同步整流或自由轮转二极管，以替代传统快恢复二极管，从而降低传导损耗，提升整体能效等级。
　　在DC-DC转换器中，尤其是隔离式拓扑如正激、反激或半桥结构中，20BQ100TR可用于输出整流阶段，配合控制器实现高效能量传递。由于其低VFM特性，即使在高负载条件下也能保持较低温升，有利于缩小散热器体积，实现小型化设计。
　　此外，该器件也适用于电池管理系统（BMS）、太阳能微逆变器和UPS不间断电源等储能与能源转换设备中，作为防反接或充放电路径的单向导通元件。其高浪涌电流承受能力（80A）使其在开机瞬态或短路保护期间具备更强的鲁棒性。
　　在工业电机驱动和电动工具电源中，20BQ100TR可用于续流保护，防止感性负载关断时产生的反电动势损坏主开关器件。其紧凑的DPAK封装适合空间受限的应用，同时支持自动贴片生产线，满足大批量制造需求。

MBR20100CTF
　　SB20100CT
　　DSB20100