20BQ100 时间：2025/12/26 21:00:10 阅读：25

20BQ100是一款由ONSEMI（安森美）公司生产的肖特基势垒二极管（Schottky Barrier Diode），采用双二极管共阴极配置，广泛应用于高效电源转换和整流电路中。该器件专为低压、大电流应用而设计，具有低正向压降和快速开关特性，有助于提升系统效率并减少热损耗。20BQ100的封装形式为TO-220AB，具备良好的散热性能，适用于高功率密度场景。其主要优势在于能够在高温环境下稳定运行，最大结温可达150°C，适合工业级和消费类电源设备使用。
　　该二极管常用于开关模式电源（SMPS）、DC-DC转换器、逆变器、续流二极管以及极性保护电路中。由于其出色的反向恢复特性，几乎无反向恢复电荷（Qrr），因此在高频工作条件下表现出色，能有效降低开关损耗，提高整体能效。此外，20BQ100符合RoHS环保标准，不含铅和有害物质，满足现代电子产品对绿色制造的要求。

参数

类型：肖特基二极管
　　配置：双共阴极
　　最大重复反向电压（VRRM）：100V
　　最大平均正向整流电流（IF(AV)）：20A
　　峰值正向浪涌电流（IFSM）：150A
　　最大正向压降（VF）：0.87V @ 20A, Tj=125°C
　　最大反向漏电流（IR）：1.0mA @ 100V, Tj=125°C
　　工作结温范围（Tj）：-65°C 至 +150°C
　　热阻（RθJC）：1.3°C/W
　　封装：TO-220AB

特性

20BQ100的核心特性之一是其低正向导通压降，在20A的工作电流下，典型正向压降仅为0.87V（在结温125°C时），显著低于传统快恢复二极管或标准PN结二极管。这一特性使得器件在大电流导通状态下产生的导通损耗大大降低，从而提升了电源系统的整体效率，并减少了对散热系统的依赖。对于高频率开关电源如DC-DC变换器而言，这种低损耗表现尤为关键，能够有效控制温升，延长系统寿命。
　　另一个重要特性是其快速开关能力。由于肖特基二极管基于金属-半导体结而非PN结，不存在少数载流子存储效应，因此几乎没有反向恢复时间（trr）和反向恢复电荷（Qrr）。这意味着在高频开关过程中不会产生额外的开关损耗和电磁干扰（EMI），特别适用于高达数百kHz甚至MHz级别的开关应用。此外，该特性还能防止因反向恢复引起的电压尖峰，保护主开关器件（如MOSFET或IGBT）免受应力损伤。
　　20BQ100采用TO-220AB封装，具有良好的机械强度和热传导性能。该封装支持安装散热片，便于将内部产生的热量迅速传导至外部环境，确保器件在高负载条件下仍能稳定运行。其热阻RθJC仅为1.3°C/W，表明从结到外壳的热传递效率非常高，适合长时间连续工作的工业电源应用。
　　该器件还具备优异的温度稳定性。随着结温升高，其正向压降变化较小，且反向漏电流虽随温度上升而增加，但在125°C时仍被控制在1mA以内，确保了高温环境下的可靠性。此外，它能在-65°C至+150°C的宽温度范围内正常工作，适应极端环境条件下的应用需求。

应用

20BQ100广泛应用于各类需要高效、大电流整流的电力电子系统中。最常见的应用场景包括开关模式电源（SMPS），特别是在输出整流阶段，利用其低正向压降和无反向恢复特性来提高转换效率。在服务器电源、通信电源和工业电源模块中，该器件可作为次级侧同步整流的替代方案或辅助整流元件，帮助实现更高的功率密度和更低的能耗。
　　在DC-DC转换器中，尤其是降压（Buck）和升压（Boost）拓扑结构中，20BQ100常被用作续流二极管或输出整流二极管。由于这类转换器通常工作在高频状态，传统二极管的反向恢复损耗会显著影响效率，而20BQ100几乎为零的反向恢复电荷使其成为理想选择。此外，其20A的额定电流能力也足以应对大多数中等功率等级的设计需求。
　　在太阳能逆变器和UPS（不间断电源）系统中，20BQ100可用于直流母线的防反接保护或能量回馈路径中的整流功能。其高浪涌电流承受能力（150A）使其能够耐受瞬态过流冲击，例如启动瞬间或负载突变时的电流尖峰，增强了系统的鲁棒性。
　　此外，该器件也适用于电池充电管理系统、电动工具电源单元以及LED驱动电源等消费类和工业类产品。由于其符合RoHS标准，也适用于出口型电子产品和绿色能源项目。