型号：20BQ015
　　制造商：ON Semiconductor (ONSEMI)
　　器件类型：肖特基势垒二极管阵列
　　配置：双共阴极（Dual Common Cathode）
　　最大重复反向电压（VRRM）：150V
　　平均整流电流（IO）：20A（每条支路）
　　峰值正向浪涌电流（IFSM）：180A（单脉冲，8.3ms半正弦波）
　　正向压降（VF）：典型值0.54V，最大值0.6V（在TA=25°C，IF=10A条件下）
　　反向漏电流（IR）：最大2.0mA（在VR=150V，TA=25°C）；高温下可增至5.0mA（在VR=150V，TA=125°C）
　　工作结温范围（TJ）：-65°C 至 +175°C
　　存储温度范围（TSTG）：-65°C 至 +175°C
　　热阻（RθJC）：约1.0°C/W（从结到外壳）
　　封装类型：TO-220AB
　　安装方式：通孔安装（Through-Hole）

20BQ015的核心优势在于其采用的肖特基势垒技术，使得器件在导通状态下具有极低的正向压降，通常在10A电流下仅为0.54V左右，显著低于传统PN结二极管。这种低VF特性直接转化为更低的导通损耗，从而提升电源系统的转换效率，尤其在低压大电流输出的DC-DC变换器中表现突出。此外，由于肖特基二极管是多数载流子器件，不存在少数载流子存储效应，因此其反向恢复时间几乎可以忽略不计，极大地减少了开关过程中的能量损耗和电磁干扰（EMI），这对于高频开关电源设计至关重要。
　　该器件的双共阴极结构允许两个二极管共享同一个阴极引脚，简化了PCB布局，特别适合同步整流拓扑或需要并联使用以承载更大电流的应用场景。其高达20A的平均整流电流能力，结合180A的峰值浪涌电流耐受能力，使其能够应对启动瞬间或负载突变时的大电流冲击，增强了系统的鲁棒性。TO-220AB封装不仅提供了良好的机械强度，还具备优异的热传导性能，可通过外接散热片将内部热量有效散发，确保器件在高负载下长期稳定运行。
　　20BQ015的工作结温范围宽达-65°C至+175°C，表明其可在极端高低温环境下正常工作，适用于工业级和部分汽车级应用。同时，其较低的热阻（约1.0°C/W）意味着每瓦功耗仅导致结温上升1°C（相对于外壳），有利于热管理设计。器件符合RoHS指令，无铅且环保，支持绿色电子产品制造。在可靠性方面，ONSEMI对产品进行了严格的筛选和测试，确保批次一致性与长期稳定性，适合用于对寿命和可靠性要求较高的设备中。

20BQ015广泛应用于各类需要高效整流和快速响应的电力电子系统中。常见用途包括开关模式电源（SMPS），特别是在反激式、正激式和LLC谐振转换器中作为次级侧整流二极管，利用其低正向压降提升效率。在DC-DC降压或升压转换器中，它常被用作续流二极管（Freewheeling Diode），在开关管关断期间为电感电流提供通路，减少能量损失。由于其高电流承载能力和良好热性能，也适用于电池充电管理系统、太阳能逆变器和UPS不间断电源等功率较大的设备中。
　　在电机驱动和逆变器电路中，20BQ015可用于保护IGBT或MOSFET免受反电动势损坏，充当钳位或续流元件。其快速响应特性有助于抑制电压尖峰，提升系统安全性。此外，在汽车电子领域，尽管非专门车规级型号，但在部分辅助电源模块中也可看到其身影，尤其是在12V或24V车载电源转换装置中。工业控制设备如PLC、伺服驱动器和电源适配器也是其典型应用场景。得益于其坚固的TO-220封装和高可靠性，20BQ015同样适用于恶劣环境下的长期运行系统，例如户外通信基站电源、LED照明驱动电源等。

MBR20150CT
　　STPS20H150CT
　　VS-20BQ150NO7