时间：2025/7/11 11:59:43
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202R18N680KV4E 是一款基于硅基材料的高压功率 MOSFET，属于 N 沣道开关晶体管。该器件适用于高电压应用场合，例如开关电源、电机驱动和 DC-DC 转换器等。其设计注重低导通电阻和高击穿电压的平衡，以提升效率和可靠性。
该型号采用 TO-247 封装形式，具备良好的散热性能，适合大功率应用场景。
最大漏源电压：680V
连续漏极电流：18A
导通电阻（典型值）：202mΩ
栅极电荷：35nC
开关速度：快速恢复
工作结温范围：-55℃ 至 +150℃
202R18N680KV4E 的主要特性包括：
1. 高耐压能力，额定漏源电压为 680V，可承受瞬态高压环境。
2. 较低的导通电阻，有助于减少导通损耗，提高系统效率。
3. 快速开关特性，能够实现高频开关操作，适应现代电源设计需求。
4. 内置雪崩能量保护功能，增强在过载或短路条件下的可靠性。
5. 使用 TO-247 封装，提供优异的热性能和电气连接稳定性。
6. 符合 RoHS 标准，环保且适合长期使用。
该型号广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS），如工业级电源适配器和 UPS 系统。
2. 电机驱动电路，特别是需要高电压控制的场景。
3. DC-DC 转换器，用于汽车电子和通信设备中的电压调节。
4. 可再生能源系统，例如太阳能逆变器和风能转换器。
5. 工业自动化设备中的功率控制模块。
6. 高压负载切换和保护电路。
202R18N650KV4E, IRFP260N, STP18NF65W
