202R18N470JV4E 是一款陶瓷电容器,属于 C0G/NP0 类介质的多层陶瓷电容器 (MLCC)。该型号具有高稳定性和低损耗的特点,适用于各种高频和精密电路应用。其封装形式通常为片式,适合表面贴装技术 (SMT),广泛应用于通信设备、消费电子、工业控制等领域。
容值:470pF
额定电压:50V
容差:±5%
温度特性:C0G/NP0
封装尺寸:0201
工作温度范围:-55℃ 至 +125℃
202R18N470JV4E 具有优良的温度稳定性,在 -55°C 至 +125°C 的温度范围内,其容量变化小于 ±30ppm/°C。
此外,该型号的介质损耗非常低,使其非常适合用于滤波、耦合和振荡等高频应用场景。
由于采用 C0G 介质,该电容器在直流偏置下几乎不会出现容量下降的现象,确保了电路性能的一致性。
其小型化的 0201 封装也使得它能够在空间受限的设计中使用,同时支持高效的 SMT 装配流程。
该电容器适用于多种高频和精密电路环境,例如射频 (RF) 滤波器、晶体振荡器负载电容、信号耦合与解耦、电源去耦、以及数据传输线路中的匹配网络。
其稳定的电气性能和可靠性还使其成为航空航天、医疗设备和其他高性能要求领域的理想选择。
18002C470JATU、Kemet C0G 系列同规格产品、AVX RQH4A470J