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202R18N330JV4E 发布时间 时间:2025/7/9 10:24:40 查看 阅读:12

202R18N330JV4E 是一款 N 治金氧化物半导体场效应晶体管(NMOS),属于功率 MOSFET 类型。该器件主要适用于高频开关电路和电源管理应用,其高效率和低导通电阻的特性使其在电力电子领域中非常受欢迎。
  该型号具体以增强型设计为主,意味着它需要正向栅极电压来开启导通状态。其封装形式通常为行业标准的表面贴装类型,有助于提高电路板空间利用率并简化制造流程。

参数

最大漏源电压:330V
  连续漏极电流:18A
  导通电阻:0.18Ω
  栅极电荷:35nC
  总功耗:240W
  工作结温范围:-55℃至175℃

特性

202R18N330JV4E 具有较低的导通电阻,能够有效减少功率损耗,并提供更高的系统效率。同时,该器件具备快速开关速度,适合用于高频应用场合。其稳健的设计允许其在较宽的工作温度范围内可靠运行,适用于恶劣环境下的电力转换和电机驱动场景。
  此外,该 MOSFET 还具有出色的雪崩能力,能够在发生短路或过载时保护自身。这种综合性能使得该型号成为许多工业和汽车应用的理想选择。

应用

202R18N330JV4E 广泛应用于开关模式电源(SMPS)、直流-直流转换器、逆变器、电机驱动器以及各类工业控制设备中。
  在消费电子领域,它也可用于笔记本适配器、显示器电源等产品中。由于其高耐压和大电流处理能力,在电动汽车(EV)和混合动力汽车(HEV)的电池管理系统中也有广泛应用。

替代型号

202R18N330JW4E, IRF3205, FDP16N30L

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202R18N330JV4E参数

  • 标准包装1
  • 类别电容器
  • 家庭陶瓷
  • 系列-
  • 电容33pF
  • 电压 - 额定2000V(2kV)
  • 容差±5%
  • 温度系数C0G,NP0
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 工作温度-55°C ~ 125°C
  • 应用通用
  • 额定值-
  • 封装/外壳1206(3216 公制)
  • 尺寸/尺寸0.125" L x 0.062" W(3.18mm x 1.57mm)
  • 高度 - 座高(最大)-
  • 厚度(最大)0.067"(1.70mm)
  • 引线间隔-
  • 特点高电压
  • 包装Digi-Reel®
  • 引线型-
  • 其它名称709-1303-6