时间：2025/7/9 10:24:40
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202R18N330JV4E 是一款 N 治金氧化物半导体场效应晶体管（NMOS），属于功率 MOSFET 类型。该器件主要适用于高频开关电路和电源管理应用，其高效率和低导通电阻的特性使其在电力电子领域中非常受欢迎。
该型号具体以增强型设计为主，意味着它需要正向栅极电压来开启导通状态。其封装形式通常为行业标准的表面贴装类型，有助于提高电路板空间利用率并简化制造流程。
最大漏源电压：330V
连续漏极电流：18A
导通电阻：0.18Ω
栅极电荷：35nC
总功耗：240W
工作结温范围：-55℃至175℃
202R18N330JV4E 具有较低的导通电阻，能够有效减少功率损耗，并提供更高的系统效率。同时，该器件具备快速开关速度，适合用于高频应用场合。其稳健的设计允许其在较宽的工作温度范围内可靠运行，适用于恶劣环境下的电力转换和电机驱动场景。
此外，该 MOSFET 还具有出色的雪崩能力，能够在发生短路或过载时保护自身。这种综合性能使得该型号成为许多工业和汽车应用的理想选择。
202R18N330JV4E 广泛应用于开关模式电源（SMPS）、直流-直流转换器、逆变器、电机驱动器以及各类工业控制设备中。
在消费电子领域，它也可用于笔记本适配器、显示器电源等产品中。由于其高耐压和大电流处理能力，在电动汽车（EV）和混合动力汽车（HEV）的电池管理系统中也有广泛应用。
202R18N330JW4E, IRF3205, FDP16N30L
