时间：2025/5/24 10:18:07
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202R18N151KV4E 是一款基于氮化镓（GaN）技术的功率场效应晶体管（MOSFET），适用于高频开关和高效率电源转换应用。该型号由知名半导体制造商生产，采用先进的封装工艺，具有低导通电阻、快速开关速度以及出色的热性能。
该器件设计用于满足工业、汽车和消费电子领域对高效能源管理的需求，支持高达 150V 的漏源极电压，并具备卓越的可靠性和耐用性。
型号：202R18N151KV4E
类型：增强型 MOSFET
材料：氮化镓 (GaN)
最大漏源极电压 (Vds)：150 V
最大栅源极电压 (Vgs)：+6 V 至 -3 V
导通电阻 (Rds(on))：18 mΩ（典型值，在 25°C 下）
最大漏电流 (Id)：202 A
栅极电荷 (Qg)：35 nC（典型值）
反向恢复电荷 (Qrr)：无（由于 GaN 技术特性）
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装形式：TO-247-4
202R18N151KV4E 具有以下显著特点：
1. 高效率：得益于其低导通电阻和零反向恢复电荷，可有效减少开关损耗和传导损耗，从而提升整体系统效率。
2. 快速开关能力：具有超短的开关时间，适合高频应用场景，能够实现更小的磁性元件设计，降低系统体积。
3. 热稳定性强：能够在高温环境下保持稳定性能，适用于严苛的工作条件。
4. 高可靠性：通过严格的测试流程，确保在各种负载条件下的长期可靠性。
5. 小尺寸封装：尽管为高功率器件，但采用紧凑型封装，便于 PCB 布局设计。
这款 GaN 功率 MOSFET 广泛应用于多种高要求场景，包括但不限于：
1. 数据中心服务器电源：
高频 DC-DC 转换器中作为主开关器件。
2. 太阳能逆变器：
提供高效的能量转换以优化光伏发电系统的输出。
3. 电动汽车（EV）车载充电器：
实现快速充电功能并减少热量生成。
4. 工业电机驱动：
支持高速 PWM 控制，提高动态响应性能。
5. 消费类快充适配器：
利用其高频特性缩小变压器尺寸，同时保持高效运行。
200R18N151K, 202R25N150KV4E
