时间:2025/12/27 19:52:44
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2027-09-C 是一款由Vishay Semiconductors生产的表面贴装硅 PIN 肖特基二极管阵列,专为高速开关和信号处理应用设计。该器件采用先进的平面技术制造,结合了PIN二极管的快速响应特性和肖特基二极管的低正向压降优势,适用于需要高效率和高频性能的电路环境。2027-09-C 集成两个独立的二极管,配置为共阴极结构,使其特别适合用于瞬态电压抑制(TVS)、静电放电(ESD)保护、信号整流以及数据线路保护等场景。其封装形式为SOT-23,体积小巧,便于在高密度印刷电路板(PCB)布局中使用,同时具备良好的热稳定性和可靠性。该器件广泛应用于便携式消费电子设备、通信模块、工业控制接口以及汽车电子系统中,能够在较宽的温度范围内稳定工作,符合RoHS环保标准,并通过了无卤素认证,满足现代电子产品对环境友好和安全性的要求。
型号:2027-09-C
制造商:Vishay Semiconductors
封装类型:SOT-23
引脚数:3
二极管配置:双二极管共阴极
最大重复反向电压(VRRM):30 V
最大直流反向电压(VR):30 V
峰值脉冲功率(PPPM):300 W
峰值脉冲电流(IPP):15 A
最大钳位电压(VC):18 V(典型值)
最大正向浪涌电流(IFSM):2 A(8.3ms 半正弦波)
最大正向电压(VF):0.55 V @ 10 mA(每个二极管)
最大反向漏电流(IR):1 μA @ 25 V
工作结温范围(TJ):-55°C 至 +150°C
存储温度范围(Tstg):-65°C 至 +150°C
寄生电容(CT):15 pF @ 0 V(典型值)
响应时间:小于 1 ns
2027-09-C 具备优异的瞬态抑制能力和快速响应特性,能够有效应对突发的电压尖峰和静电放电事件。其内部采用PIN与肖特基复合结构,使得器件在保持低正向导通压降的同时,拥有较高的反向击穿耐受能力,从而在信号完整性保护方面表现突出。该器件的响应时间小于1纳秒,能够在极短时间内将过电压钳位于安全水平,防止下游敏感集成电路受损。此外,其低动态电阻和低钳位电压特性确保在大电流瞬态事件中仍能维持稳定的保护性能,避免系统误操作或永久性损坏。
由于采用SOT-23小型化封装,2027-09-C 在空间受限的应用中具有显著优势,尤其适用于智能手机、平板电脑、USB接口、HDMI端口以及其他高速数据传输通道的ESD防护。其15pF的典型结电容对高频信号影响极小,不会引入明显的信号衰减或失真,因此非常适合用于高速差分信号线如USB 2.0、RS-485、CAN总线等场合。器件还具备良好的热稳定性,即使在长时间连续工作或频繁承受瞬态冲击的情况下也能保持性能一致。
2027-09-C 符合IEC 61000-4-2、IEC 61000-4-4和IEC 61000-4-5等国际电磁兼容性标准,支持高达±30kV空气放电和接触放电的ESD防护等级,确保在恶劣电磁环境中系统的可靠运行。其无铅镀层和符合RoHS指令的设计也使其适用于全球市场的各类环保产品设计需求。整体而言,2027-09-C 是一种高性能、高可靠性的集成保护解决方案,兼顾了电气性能、封装尺寸与环境适应性,是现代电子系统中理想的瞬态电压抑制元件。
2027-09-C 主要应用于各类需要静电放电(ESD)保护和瞬态电压抑制的电子设备中。常见于便携式消费类电子产品,如智能手机、平板电脑、笔记本电脑和可穿戴设备,用于保护USB、HDMI、音频插孔、触摸屏接口等外部连接端口免受人为静电损害。在通信领域,该器件可用于以太网端口、RS-232/RS-485串行接口、CAN总线等工业通信链路中,提升系统的抗干扰能力和长期运行稳定性。
在汽车电子系统中,2027-09-C 可用于车载信息娱乐系统、传感器接口、车身控制模块中的低速数据线保护,尤其是在非高功率电源线路但存在频繁开关噪声或静电风险的节点上。此外,在医疗电子设备、测试测量仪器和智能家居控制器中,该器件也为敏感模拟前端和数字I/O提供了可靠的过压保护屏障。
由于其低电容和快速响应特性,2027-09-C 特别适合高速数据线路的保护,例如USB 2.0 Full Speed 和 High Speed 模式下的信号完整性维护。它能够在不影响数据速率的前提下提供高达300W的峰值脉冲功率吸收能力,确保在雷击感应、电源突波或人为ESD事件发生时,系统仍能正常工作而不发生锁死或数据错误。因此,该器件广泛部署于各类需要兼顾信号质量和电路安全性的应用场景中。
TPD3USB06, SP3001-04UTG, ESDA6V1-2U1, SMS712, SZESD721-04P