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201R15N221JV4T 发布时间 时间:2025/7/3 16:03:15 查看 阅读:7

201R15N221JV4T 是一款基于氮化镓(GaN)技术的高电子迁移率晶体管(HEMT),广泛应用于高频、高效率功率转换场景。该器件具有极低的导通电阻和快速开关性能,适用于电源管理、DC-DC转换器、射频放大器以及其他对效率和速度有较高要求的应用。此型号采用表面贴装封装,适合自动化生产流程。
  该系列器件以其卓越的热特性和电气性能而著称,可显著降低能耗并提高系统整体效率。

参数

最大漏源电压:150V
  导通电阻:20mΩ
  栅极阈值电压:2.5V~4.5V
  连续漏极电流:22A
  输出电容:120pF
  反向传输电容:35pF
  典型开关频率:5MHz
  结温范围:-55℃~175℃

特性

201R15N221JV4T 具备以下显著特性:
  1. 超低导通电阻(Rds(on)),能够有效减少传导损耗,提升系统效率。
  2. 快速开关能力,支持高频工作环境,有助于缩小无源元件体积。
  3. 采用先进的氮化镓技术,提供比传统硅基MOSFET更高的功率密度。
  4. 高度可靠的封装设计,能够在恶劣环境下长期稳定运行。
  5. 支持宽禁带半导体技术,具备更好的耐高温性能。

应用

该芯片主要应用于以下领域:
  1. 数据中心高效电源模块。
  2. 汽车电子中的DC-DC转换器。
  3. 工业设备的电机驱动控制器。
  4. 射频功率放大器及通信基站。
  5. 笔记本电脑和移动设备的快充适配器。
  6. 太阳能逆变器及其他新能源相关产品。

替代型号

202R15N221JW4T, 201R15N221JU4T

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