时间：2025/7/3 16:03:15
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201R15N221JV4T 是一款基于氮化镓（GaN）技术的高电子迁移率晶体管（HEMT），广泛应用于高频、高效率功率转换场景。该器件具有极低的导通电阻和快速开关性能，适用于电源管理、DC-DC转换器、射频放大器以及其他对效率和速度有较高要求的应用。此型号采用表面贴装封装，适合自动化生产流程。
该系列器件以其卓越的热特性和电气性能而著称，可显著降低能耗并提高系统整体效率。
最大漏源电压：150V
导通电阻：20mΩ
栅极阈值电压：2.5V~4.5V
连续漏极电流：22A
输出电容：120pF
反向传输电容：35pF
典型开关频率：5MHz
结温范围：-55℃~175℃
201R15N221JV4T 具备以下显著特性：
1. 超低导通电阻（Rds(on)），能够有效减少传导损耗，提升系统效率。
2. 快速开关能力，支持高频工作环境，有助于缩小无源元件体积。
3. 采用先进的氮化镓技术，提供比传统硅基MOSFET更高的功率密度。
4. 高度可靠的封装设计，能够在恶劣环境下长期稳定运行。
5. 支持宽禁带半导体技术，具备更好的耐高温性能。
该芯片主要应用于以下领域：
1. 数据中心高效电源模块。
2. 汽车电子中的DC-DC转换器。
3. 工业设备的电机驱动控制器。
4. 射频功率放大器及通信基站。
5. 笔记本电脑和移动设备的快充适配器。
6. 太阳能逆变器及其他新能源相关产品。
202R15N221JW4T, 201R15N221JU4T
