201CNQ050 时间：2025/12/26 18:56:55 阅读：18

201CNQ050是一款由Vishay Semiconductors生产的N沟道TrenchFET功率MOSFET，采用先进的沟槽技术制造，专为高效率、高密度的电源管理应用设计。该器件封装在紧凑的PowerPAK SO-8L封装中，具有极低的导通电阻（RDS(on)）和优异的热性能，适用于需要高效能开关操作的应用场景。其主要优势包括减少系统功耗、提高整体效率以及支持高电流负载能力。由于采用了先进的封装技术，201CNQ050具备良好的散热性能，可在有限的空间内实现更高的功率密度。此外，该MOSFET还具备优良的雪崩能量耐受能力和抗瞬态电压冲击能力，适合用于工业控制、电机驱动、DC-DC转换器、同步整流以及电池管理系统等对可靠性要求较高的场合。器件符合RoHS环保标准，并通过了AEC-Q101车规级认证，表明其适用于汽车电子环境中的严苛工作条件。

参数

型号：201CNQ050
　　制造商：Vishay Semiconductors
　　晶体管类型：N沟道
　　漏源电压(VDSS)：30V
　　栅源电压(VGS)：±20V
　　连续漏极电流(ID)@25°C：110A
　　脉冲漏极电流(IDM)：360A
　　导通电阻(RDS(on))@VGS=10V：3.7mΩ
　　导通电阻(RDS(on))@VGS=4.5V：5.1mΩ
　　导通电阻(RDS(on))@VGS=2.5V：7.5mΩ
　　阈值电压(VGS(th))@ID=250μA：1.0V ~ 2.0V
　　输入电容(Ciss)@VDS=15V：4290pF
　　输出电容(Coss)@VDS=15V：1140pF
　　反向恢复时间(trr)：19ns
　　栅极电荷(Qg)@VGS=10V, ID=55A：74nC
　　封装/外壳：PowerPAK SO-8L
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　安装类型：表面贴装(SMT)

特性

201CNQ050采用Vishay成熟的TrenchFET技术，具有极低的导通电阻，显著降低了导通损耗，从而提高了电源系统的整体效率。其RDS(on)在VGS=10V时仅为3.7mΩ，在同类产品中处于领先水平，这使得它非常适合用于大电流应用如同步降压转换器或电池供电系统中的主开关元件。该器件的栅极电荷（Qg）较低，仅为74nC（典型值），有助于减少驱动损耗并提升开关速度，进而降低动态损耗，特别适用于高频开关电源设计。同时，其输入电容和输出电容分别为4290pF和1140pF，在保证快速开关响应的同时也维持了良好的稳定性。
　　该MOSFET具备出色的热性能，得益于PowerPAK SO-8L封装的优化布局，能够有效传导热量至PCB，提升散热效率。即使在高负载条件下也能保持较低的工作温升，增强了长期运行的可靠性。此外，器件具有宽泛的栅源电压范围（±20V），提供了一定程度的过压保护能力，避免因栅极驱动异常导致损坏。其阈值电压范围为1.0V至2.0V，确保在逻辑电平信号下仍可实现稳定开启，兼容多种驱动IC。
　　201CNQ050还表现出优异的抗雪崩能力和鲁棒性，能够在突发的电压尖峰或能量冲击下保持正常工作，提升了系统安全性。该器件通过AEC-Q101认证，意味着其经过严格的应力测试，适用于汽车电子应用，如车载充电器、DC-DC变换器、电动助力转向系统等。其工作温度范围从-55°C到+150°C，适应极端环境下的使用需求。综合来看，201CNQ050是一款高性能、高可靠性的功率MOSFET，广泛应用于消费电子、工业自动化与新能源领域。

应用

201CNQ050广泛应用于各类需要高效、高电流开关性能的电源管理系统中。典型应用场景包括同步降压转换器（Buck Converters），其中作为上下桥臂开关使用，利用其低RDS(on)和快速开关特性来提高转换效率并减少发热；在服务器和通信设备的多相电压调节模块（VRM）中，多个201CNQ050并联使用可支持上百安培的负载电流，满足高性能CPU和GPU的供电需求。该器件也常用于电机驱动电路，特别是在无人机、电动工具和机器人控制系统中，作为H桥结构中的主开关元件，实现精确的速度和方向控制。
　　在电池管理系统（BMS）中，201CNQ050可用于充放电控制开关，凭借其低导通损耗和高可靠性，延长电池使用寿命并提升能量利用率。此外，它也被集成于便携式设备的电源路径管理单元，例如笔记本电脑和平板电脑的电源适配器接口切换电路中。由于通过AEC-Q101认证，该器件在汽车电子领域同样有广泛应用，涵盖车载信息娱乐系统电源、LED照明驱动、电动座椅及窗户控制模块等。工业自动化设备中的PLC模块、传感器供电单元以及直流不间断电源（UPS）系统也常采用该MOSFET以实现紧凑而高效的电源设计。