201CMQ040 时间：2025/12/26 21:04:45 阅读：31

201CMQ040是一款由Vishay Semiconductors生产的表面贴装超快恢复整流二极管，专为高效率电源转换应用设计。该器件采用紧凑的SMC（DO-277）封装，具有低正向电压降和极短的反向恢复时间，适用于需要快速开关特性的电路环境。其主要特点包括高电流处理能力、优良的热性能以及可靠的功率处理特性，广泛用于开关模式电源（SMPS）、DC-DC转换器、逆变器、续流二极管和箝位电路等应用中。该二极管在高温环境下仍能保持稳定的电气性能，适合在工业级温度范围内运行。
　　201CMQ040的命名遵循Vishay的标准命名规则，其中“201”代表特定系列或额定电压等级，“CMQ”表示其为超快恢复类型，“040”通常对应于40V的重复峰值反向电压（VRRM）。该器件通过AEC-Q101认证的可能性较低，主要用于通用工业与消费类电源系统。由于其优异的开关性能和可靠性，201CMQ040在现代高频电源拓扑中扮演着关键角色，有助于提升整体系统效率并减少电磁干扰（EMI）问题。

参数

类型：超快恢复整流二极管
　　封装/外壳：SMC（DO-277）
　　最大重复峰值反向电压 VRRM：40V
　　最大直流阻断电压 VR：40V
　　平均整流电流 IO：20A
　　峰值非重复浪涌电流 IFSM：300A
　　正向压降 VF（典型值）：0.52V @ 10A, 125°C
　　最大正向压降 VF（最大值）：0.6V @ 10A, 125°C
　　反向恢复时间 trr（典型值）：35ns
　　最大反向漏电流 IR：0.5mA @ 40V, 125°C
　　工作结温范围 TJ：-55°C 至 +175°C
　　存储温度范围 TSTG：-55°C 至 +175°C
　　热阻 RθJA：约2.5°C/W（依赖PCB布局）
　　安装类型：表面贴装（SMD）

特性

201CMQ040具备出色的动态开关特性，其反向恢复时间（trr）典型值仅为35ns，这使其能够在高频开关电源环境中有效减少开关损耗和电压振铃现象。由于采用了先进的硅芯片工艺技术，该器件在大电流条件下仍能维持较低的正向导通压降，典型值在10A、125°C下为0.52V，最大不超过0.6V，从而显著降低导通损耗，提高电源系统的整体能效。此外，该器件支持高达20A的平均整流电流输出，并可承受高达300A的峰值非重复浪涌电流，表现出优异的瞬态过载承受能力，增强了系统在异常工况下的鲁棒性。
　　该二极管采用SMC封装，具有较大的焊盘面积，有利于热量从芯片传导至PCB，实现高效的热管理。其热阻RθJA约为2.5°C/W，具体数值取决于PCB铜箔面积和散热设计。这种封装形式不仅提升了功率密度，还便于自动化贴片生产，适用于大规模制造流程。器件的工作结温范围宽达-55°C至+175°C，可在极端温度环境下稳定运行，满足严苛工业应用的需求。同时，它对高温反向漏电流进行了优化，在40V反向电压、125°C条件下最大漏电流仅为0.5mA，确保在高温工作状态下仍保持良好的阻断能力。
　　201CMQ040的结构设计注重可靠性和长期稳定性，经过严格的晶圆级测试和封装验证，具备良好的抗热循环疲劳能力和机械强度。其内部连接采用先进键合工艺，减少内引线电感，进一步改善高频响应性能。该器件无铅（Pb-free）且符合RoHS环保标准，部分批次可能支持无卤素（Halogen-free）要求，适用于绿色电子产品设计。总体而言，201CMQ040是一款高性能、高可靠性的超快恢复二极管，特别适用于追求高效、小型化和高功率密度的现代电源系统设计。

应用

201CMQ040广泛应用于各类中高功率开关电源系统中，尤其是在需要快速恢复特性的场合。典型应用场景包括开关模式电源（SMPS），特别是在二次侧同步整流架构中作为辅助整流或箝位元件使用；DC-DC转换器模块，如隔离式或非隔离式降压、升压及SEPIC拓扑中，用于提高转换效率并减少能量损耗；此外，在逆变器电路中也可作为续流路径的一部分，帮助抑制感性负载产生的反电动势，保护主开关器件。
　　该器件也常用于电源适配器、LED驱动电源、电信设备电源单元、工业控制电源以及消费类电子产品的内置电源模块中。由于其低VF和快速trr特性，能够有效降低系统温升并减小滤波元件尺寸，进而实现更紧凑的设计。在电机驱动和电源管理系统中，201CMQ040可用作续流二极管，防止电机绕组断电时产生高压击穿MOSFET或IGBT等有源器件。此外，在电池充电电路、UPS不间断电源以及光伏微逆变器等新能源相关设备中，该二极管同样发挥着重要作用，保障系统安全运行的同时提升能源利用率。