时间：2025/9/8 12:10:19
阅读：90
200USC1200M25X45是一种高性能的碳化硅（SiC）功率模块，专为高效率和高功率密度应用设计。该模块基于SiC MOSFET技术，具有低导通和开关损耗，适用于需要高频率和高温度工作的电力电子系统。
类型：碳化硅（SiC）功率模块
额定电压：1200V
额定电流：200A
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装尺寸：25mm x 45mm
导通电阻（Rds(on)）：< 25mΩ
最大短路电流：1200A
绝缘等级：符合IEC 60146标准
200USC1200M25X45的核心特性在于其采用的碳化硅材料技术，使得该模块具有卓越的电气性能和热性能。相比传统的硅基功率模块，200USC1200M25X45在导通损耗和开关损耗方面有显著降低，从而提高了系统的整体效率。此外，其高工作温度能力也意味着模块可以在更高温度环境下稳定运行，并减少对散热系统的要求。
此外，该模块采用了先进的封装技术，确保了高可靠性和机械强度，适合在恶劣工作环境中使用。其紧凑的尺寸设计使其适用于对空间要求严格的高功率密度系统。模块还具备良好的电磁兼容性（EMC），能够减少电磁干扰，提升系统的稳定性。这些特性共同作用，使得200USC1200M25X45成为高效电力电子应用的理想选择。
200USC1200M25X45主要应用于高功率密度和高效率需求的电力电子系统，例如电动汽车（EV）充电设备、可再生能源系统（如太阳能逆变器）、工业电机驱动器、不间断电源（UPS）以及高频开关电源。其卓越的电气性能和可靠性使其在需要高频率操作和高环境温度的场景中表现尤为突出。
CMF200120D（Cree/SiC）, FFSH200120T（Fuji Electric）, CAS120M12BM2（Wolfspeed）
