时间：2025/6/30 15:47:28
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1XXB26000CTF 是一款高性能的功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要应用于需要高效率、低功耗和快速开关特性的场景。该器件采用先进的制造工艺，具有较低的导通电阻和较高的开关速度，适用于多种电源管理应用。
这款 MOSFET 的封装形式通常为 TO-247 或类似的功率封装，能够有效散热，确保在高电流负载下的稳定运行。
类型：N沟道 MOSFET
最大漏源电压(Vds)：600V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：26A
导通电阻(Rds(on))：35mΩ
总功耗(Ptot)：300W
工作温度范围：-55℃ to +150℃
1XXB26000CTF 具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻 Rds(on)，有助于降低传导损耗，提升系统效率。
2. 快速的开关性能，可减少开关损耗并适应高频应用。
3. 高击穿电压 Vds，使其能够在高压环境下可靠运行。
4. 内置静电保护功能，提高了器件的鲁棒性。
5. 支持大电流操作，适用于工业电源、电机驱动和其他功率转换电路。
1XXB26000CTF 广泛应用于各种高功率电子设备中，具体包括：
1. 开关电源（SMPS）中的功率级开关。
2. 电机驱动器中的逆变器或斩波器电路。
3. 太阳能逆变器中的功率转换模块。
4. 不间断电源（UPS）系统。
5. 各种工业控制和自动化设备中的功率管理单元。
IRFP260N, STP26NF60, FDP18N60C
