类型：单向TVS二极管
　　封装：SMC（DO-214AB）
　　击穿电压（V_BR）：2V（典型值）
　　最大反向截止电压（V_RWM）：1.8V
　　钳位电压（V_C）：3.5V（在I_PP = 10A时）
　　峰值脉冲电流（I_PP）：10A（8/20μs波形）
　　峰值脉冲功率（P_PK）：600W（10×1000μs波形）
　　工作结温范围（T_J）：-55°C 至 +150°C
　　漏电流（I_R）：≤ 1μA（在V_R = 1.8V时）
　　响应时间：<1ps

1VAP2-2 瞬态电压抑制二极管具备卓越的瞬态过电压保护性能，其核心特性之一是极快的响应速度，通常在皮秒（ps）量级，远快于传统的过压保护器件如压敏电阻或气体放电管。这种超高速响应能力使其能够在静电放电（ESD）事件发生后的极短时间内激活并箝制电压，防止高压脉冲击穿敏感的半导体元件，例如微控制器、接口芯片或传感器。该器件采用硅 PN 结工艺制造，利用雪崩击穿机制实现稳定的电压箝位行为，确保在多次浪涌冲击后仍保持电气特性的一致性与可靠性。
　　另一个关键特性是其高能量吸收能力。1VAP2-2 在标准 8/20μs 电流波形测试条件下可承受高达 10A 的峰值脉冲电流，并能在 10×1000μs 脉冲波形下承受 600W 的峰值脉冲功率。这一能力使其适用于存在较高电磁干扰或工业环境中常见的电感性负载切换所引发的电压瞬变场合。同时，其 SMC 封装形式提供了良好的散热路径，有助于在多次瞬态事件中有效散发热量，避免因热积累导致的性能退化或失效。
　　该 TVS 二极管还具有非常低的待机漏电流，典型值小于 1μA，在正常工作电压（≤1.8V）下几乎不对系统功耗产生影响，特别适合用于电池供电或低功耗设计的应用场景。此外，其单向结构设计使其仅在正向过压时触发保护，不会影响负向信号传输或电源极性反转情况下的正常运行。Vishay 对该器件实施严格的质量控制和可靠性测试，确保其在 -55°C 至 +150°C 的宽温度范围内稳定工作，满足汽车级和工业级应用的需求。
　　1VAP2-2 还具备出色的重复使用性能，即使经历数千次 ESD 冲击（如 IEC 61000-4-2 Level 4 标准中的 ±8kV 接触放电）后，依然能维持其原始电气参数，不会出现老化或性能衰减现象。这使得它成为构建高可靠性防护电路的理想选择。最后，该器件符合 RoHS 和无卤素环保规范，支持现代绿色电子制造趋势，并兼容自动贴片设备，便于大规模生产集成。

1VAP2-2 TVS 二极管广泛应用于各类需要瞬态电压保护的电子系统中。在工业控制系统中，常用于 PLC 输入/输出模块、继电器驱动电路和现场总线接口的保护，防止由于接触器断开或电机启停引起的感应电压尖峰损坏控制芯片。在汽车电子领域，该器件可用于车载信息娱乐系统、车身控制模块和传感器供电线路，抵御来自点火系统、发电机瞬变或负载突降（load dump）所产生的电气噪声和过电压威胁，保障车辆电子系统的稳定运行。
　　在通信设备中，1VAP2-2 可用于保护 RS-232、RS-485、CAN 总线等串行通信接口免受雷击感应或静电放电的影响，提高数据传输的可靠性和系统的抗干扰能力。此外，在消费类电子产品中，如智能手机、平板电脑、智能家居设备等，该 TVS 器件可用于 USB 接口、音频插孔、按键输入端口等易受人体静电影响的位置，提供有效的 ESD 防护，延长产品使用寿命。
　　在电源管理方面，1VAP2-2 适用于低压直流电源轨（如 1.8V 或 2.5V 逻辑电源）的二级保护，配合主级保护器件构成多级防护体系，提升整个电源系统的鲁棒性。同时，由于其小型化的 SMC 表面贴装封装，占用 PCB 面积较小，适合高密度布局的设计需求。该器件也可用于医疗电子设备中的信号调理电路或传感器前端，确保在严苛电磁环境下仍能准确采集生理信号。总之，凡是存在瞬态过电压风险的低压电路节点，1VAP2-2 都能提供高效、可靠的保护解决方案。