1SV194 时间：2025/9/7 0:16:52 阅读：26

1SV194是一款由东芝（Toshiba）生产的N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于电源管理和开关应用。该器件设计用于高效能、低损耗的功率转换系统，适用于DC-DC转换器、电源开关、电机控制以及电池管理系统等领域。1SV194具有低导通电阻（Rds(on)）、高耐压和大电流承载能力，适合用于高频率开关操作。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：60V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：20A（Tc=25℃）
　　脉冲漏极电流（Idm）：80A
　　导通电阻（Rds(on)）：最大25mΩ（在Vgs=10V时）
　　功耗（Pd）：100W
　　工作温度范围：-55℃～+150℃
　　封装形式：TO-220

特性

1SV194的主要特性之一是其极低的导通电阻，这有助于降低导通损耗，提高系统效率。该器件在60V的漏源电压下工作，具有较高的电压耐受能力，能够适应多种电源管理场景。
　　其高电流承载能力（20A连续漏极电流和80A脉冲漏极电流）使其适用于高功率负载的应用，如电机驱动和电源开关。此外，该MOSFET具备良好的热稳定性，能够在较高的温度环境下可靠运行，扩展了其适用范围。
　　1SV194采用TO-220封装，具有良好的散热性能，适合安装在散热器上，便于热量的快速散发。这种封装形式也便于手工焊接和自动化生产，广泛用于工业和消费类电子产品中。
　　该器件还具有快速开关能力，适合高频应用，减少开关损耗。此外，1SV194的栅极驱动要求较低，可以与常见的控制器和驱动器兼容，简化了电路设计。

应用

1SV194广泛应用于各种功率电子设备中，特别是在需要高效率和高可靠性的场合。典型应用包括DC-DC降压/升压转换器、同步整流器、电源管理模块、电池充电和管理系统、电机控制电路、负载开关以及工业自动化设备中的功率开关部分。
　　在电源转换系统中，1SV194常用于高频开关电路中，以实现高效的能量转换。由于其低导通电阻和高电流能力，该MOSFET在大电流负载管理中表现出色，适用于高功率LED驱动、电池供电设备和便携式电子产品的电源管理。
　　在电机控制方面，1SV194可用于H桥驱动电路，实现对直流电机或步进电机的方向和速度控制。同时，其高耐压特性也使其适用于工业自动化控制系统中的功率开关模块。