1SV194是一款由东芝(Toshiba)生产的N沟道功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要用于电源管理和开关应用。该器件设计用于高效能、低损耗的功率转换系统,适用于DC-DC转换器、电源开关、电机控制以及电池管理系统等领域。1SV194具有低导通电阻(Rds(on))、高耐压和大电流承载能力,适合用于高频率开关操作。
类型:N沟道MOSFET
漏源电压(Vds):60V
栅源电压(Vgs):±20V
连续漏极电流(Id):20A(Tc=25℃)
脉冲漏极电流(Idm):80A
导通电阻(Rds(on)):最大25mΩ(在Vgs=10V时)
功耗(Pd):100W
工作温度范围:-55℃~+150℃
封装形式:TO-220
1SV194的主要特性之一是其极低的导通电阻,这有助于降低导通损耗,提高系统效率。该器件在60V的漏源电压下工作,具有较高的电压耐受能力,能够适应多种电源管理场景。
其高电流承载能力(20A连续漏极电流和80A脉冲漏极电流)使其适用于高功率负载的应用,如电机驱动和电源开关。此外,该MOSFET具备良好的热稳定性,能够在较高的温度环境下可靠运行,扩展了其适用范围。
1SV194采用TO-220封装,具有良好的散热性能,适合安装在散热器上,便于热量的快速散发。这种封装形式也便于手工焊接和自动化生产,广泛用于工业和消费类电子产品中。
该器件还具有快速开关能力,适合高频应用,减少开关损耗。此外,1SV194的栅极驱动要求较低,可以与常见的控制器和驱动器兼容,简化了电路设计。
1SV194广泛应用于各种功率电子设备中,特别是在需要高效率和高可靠性的场合。典型应用包括DC-DC降压/升压转换器、同步整流器、电源管理模块、电池充电和管理系统、电机控制电路、负载开关以及工业自动化设备中的功率开关部分。
在电源转换系统中,1SV194常用于高频开关电路中,以实现高效的能量转换。由于其低导通电阻和高电流能力,该MOSFET在大电流负载管理中表现出色,适用于高功率LED驱动、电池供电设备和便携式电子产品的电源管理。
在电机控制方面,1SV194可用于H桥驱动电路,实现对直流电机或步进电机的方向和速度控制。同时,其高耐压特性也使其适用于工业自动化控制系统中的功率开关模块。
Si4410BDY-T1-GE3, IRFZ44N, FDS6680, IPB041N06N3