类型：增强型氮化镓场效应晶体管（eGaN HEMT）
　　漏源电压（V_DS）：650 V
　　连续漏极电流（I_D）@25°C：30 A
　　脉冲漏极电流（I_DM）：120 A
　　导通电阻（R_DS(on)）@25°C：80 mΩ
　　栅极阈值电压（V_GS(th)）：典型值 2.1 V，范围 1.7 - 2.5 V
　　输入电容（C_iss）：典型值 1400 pF @ V_DS = 50 V, V_GS = 0 V
　　输出电容（C_oss）：典型值 280 pF @ V_DS = 50 V
　　反向恢复电荷（Q_rr）：典型值 0 nC（无体二极管反向恢复）
　　最大工作结温（T_j）：150 °C
　　封装形式：PG-TO263-7-31（表面贴装，七引脚）
　　安装方式：表面贴装
　　栅极驱动电压推荐范围：+6 V 至 +7 V（开启），0 V 或负压关断
　　开关频率支持：高达数百 kHz 至数 MHz

1ST280EU1F50I1VGAS 具备多项先进特性，使其在高功率密度电源系统中表现出色。首先，作为一款基于GaN-on-Si技术的增强型HEMT器件，它实现了极低的导通电阻与寄生电容，从而大幅降低了导通损耗和开关损耗，尤其在高频工作条件下优势明显。这使得电源设计可以采用更高的开关频率，进而减小磁性元件和电容的体积，提升整体系统的功率密度。其次，该器件采用了源极共源（Source-common）封装架构，并配备独立的开尔文源极（Kelvin Source）引脚，有效分离了高电流路径与信号路径，减少了源极电感对栅极控制的影响，提升了开关速度和动态性能。此外，该器件具有非常快的开关响应能力，上升时间与下降时间均处于纳秒级别，有助于实现零电压切换（ZVS）或零电流切换（ZCS）等软开关拓扑，进一步提高效率。
　　另一个关键特性是其无体二极管结构。由于GaN HEMT本身不具备传统MOSFET的体二极管，因此在反向导通时依赖于三端子操作或外部并联肖特基二极管。这一特点虽然要求更精确的驱动时序控制，但也避免了反向恢复电荷（Q_rr）带来的能量损耗和电磁干扰问题，特别适用于桥式电路中的硬开关与软开关应用。同时，该器件具备良好的热导性能，通过底部散热焊盘可将热量高效传导至PCB，配合适当的热设计可维持较低的工作温度。英飞凌还在该系列中集成了多项可靠性增强措施，包括经过验证的钝化层技术和严格的晶圆级筛选流程，确保器件在长期高温高湿环境下的稳定运行。最后，该器件兼容标准的栅极驱动器解决方案，只需注意提供合适的正负偏置电压即可实现安全可靠的驱动控制。

1ST280EU1F50I1VGAS 广泛应用于对效率和功率密度要求极高的现代电力电子系统。在数据中心服务器电源和电信整流器中，该器件可用于图腾柱无桥PFC（Power Factor Correction）拓扑，利用其超低开关损耗实现 >99% 的转换效率，满足80 PLUS钛金等高能效标准。在无线充电系统中，尤其是高功率工业或电动汽车无线充电平台，该器件能够支持MHz级别的谐振频率运行，提升能量传输效率并缩小发射端与接收端的体积。此外，在激光驱动器、医疗成像设备和测试测量仪器中，该器件可用于构建快速响应的脉冲功率放大器或高压直流模块，提供精确且稳定的输出控制。
　　太阳能微型逆变器和储能系统也是其重要应用领域。在此类应用中，1ST280EU1F50I1VGAS 可用于DC-AC逆变级或DC-DC升压级，凭借其高频工作能力和高耐压特性，显著提升系统效率并降低滤波元件成本。在电动交通工具（如EV充电站）中，车载OBC（On-Board Charger）和DC-DC转换器逐渐采用GaN器件以实现轻量化和小型化，该型号也适用于此类前沿设计。此外，工业SMPS（开关模式电源）、LED大屏供电单元以及航空航天电源模块等高端场景中，该器件因其高可靠性和抗辐射能力而受到青睐。随着第三代半导体技术的普及，该器件正在推动电源系统向更高频、更智能、更绿色的方向发展。

GS-065-151-EPC
　　IGT65R160D1DAU8