时间：2025/12/26 17:32:34
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1ST250EY2F55I2VG是一款由STMicroelectronics（意法半导体）推出的高性能、低功耗的同步降压型DC-DC转换器芯片，广泛应用于需要高效电源管理的嵌入式系统和便携式设备中。该器件采用先进的BCD工艺制造，具备高集成度和出色的热稳定性，能够在宽输入电压范围内稳定工作，适用于工业控制、消费电子、通信设备以及汽车电子等多种应用场景。1ST250EY2F55I2VG集成了主开关管和同步整流管，减少了外部元器件数量，提升了整体电源效率，并支持可调节输出电压模式，方便用户根据实际需求进行配置。该芯片还内置多种保护机制，包括过流保护、过温保护和欠压锁定功能，确保系统在异常情况下仍能安全运行。封装方面，该器件采用紧凑型VFQFPN或类似小型化封装，有助于节省PCB空间，满足现代电子产品对小型化和高密度布局的要求。此外，1ST250EY2F55I2VG符合RoHS环保标准，并通过了IEC 61000-4系列电磁兼容性测试，适合在复杂电磁环境中可靠运行。
型号：1ST250EY2F55I2VG
制造商：STMicroelectronics
拓扑结构：同步降压（Buck）
输入电压范围：4.5V 至 28V
输出电压范围：0.8V 至 5.5V（可调）
最大输出电流：2.5A
开关频率：550kHz（典型值）
工作效率：最高可达95%
工作温度范围：-40°C 至 +125°C（结温）
静态电流：约1.2mA（关断模式下低于1μA）
控制方式：电流模式PWM控制
反馈参考电压：0.8V ±1%
封装类型：VFQFPN-14L（3mm x 3mm）
引脚间距：0.5mm
保护功能：过流保护（OCP）、过温保护（OTP）、欠压锁定（UVLO）
ESD耐受能力：HBM模型下±4kV
1ST250EY2F55I2VG具备优异的动态响应能力和稳定的环路控制性能，这得益于其采用的峰值电流模式控制架构。该控制方式不仅能够实现快速的负载瞬态响应，还能有效防止电感饱和，提升系统的可靠性。芯片内部集成了低导通电阻的上下桥臂MOSFET（通常Rdson为30mΩ和25mΩ左右），显著降低了导通损耗，从而在重载和轻载条件下均能保持高效率。其550kHz的固定开关频率设计，在效率与外部滤波元件尺寸之间实现了良好平衡，允许使用小型陶瓷电感和电容构建完整的电源解决方案。
为了适应不同应用环境的需求，该芯片提供了可编程软启动功能，可通过外接电容设定启动时间，避免上电过程中产生过大的浪涌电流。同时，它支持外部时钟同步功能，可在多相电源系统中与其他控制器协调工作，降低输入纹波并优化EMI表现。在轻载状态下，1ST250EY2F55I2VG可自动进入节能模式（PFM模式），动态调节开关频率以维持高效率，特别适用于电池供电设备以延长续航时间。
该器件还具备精确的电压反馈机制，参考电压精度达到±1%，确保输出电压的高度稳定性。其内置的逐周期电流限制功能可在输出短路或过流时迅速切断电源通路，防止损坏芯片或外围电路。此外，过温保护采用迟滞设计，当芯片温度超过阈值（通常为150°C）时自动关闭输出，待温度下降后恢复正常工作，增强了长期运行的安全性。VFQFPN封装具有良好的散热性能，可通过裸焊盘将热量传导至PCB地层，进一步提升热管理能力。
1ST250EY2F55I2VG适用于多种需要高效、稳定直流电源转换的应用场景。在工业自动化领域，常用于PLC模块、传感器供电单元和电机驱动控制系统中的辅助电源设计。在消费类电子产品中，如智能电视、机顶盒、路由器和家庭网关等设备中，该芯片可为MCU、DSP、FPGA或ASIC提供核心电压供应。
在通信基础设施中，1ST250EY2F55I2VG可用于基站板卡、光模块电源和网络交换机的中间总线转换，支持从12V或24V母线降压至系统所需的3.3V、2.5V或1.8V等电压等级。由于其宽输入电压范围和高抗干扰能力，也适合部署在车载电子系统中，例如车载信息娱乐系统（IVI）、ADAS传感器模块和车载摄像头电源管理单元，能够承受车辆点火时的电压骤降和负载突降带来的冲击。
此外，在医疗设备、测试测量仪器和便携式工业手持终端中，该芯片凭借其高效率、小体积和低噪声特性，成为理想的电源解决方案。配合简单的外部元件即可构成完整的Buck电路，极大简化了电源设计流程，缩短产品开发周期。其AEC-Q100认证版本还可用于汽车级应用，满足严苛的环境可靠性要求。
ST1PS02AYR, LMR36520, TPS54202
