时间:2025/12/26 16:35:57
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1ST210EU2F50E2VG 是一款由罗姆半导体(ROHM Semiconductor)推出的高性能、低功耗实时时钟(RTC)模块,集成了温度补偿晶体振荡器(TCXO)和高精度时钟电路,专为需要长时间稳定时间保持的工业、汽车及通信应用设计。该器件采用紧凑型表面贴装封装,具备出色的抗环境干扰能力,能够在宽温度范围内维持极高的时间精度。1ST210EU2F50E2VG 内部集成了32.768kHz的晶体单元与温度传感器,通过数字温度补偿算法自动校正频率偏差,确保在-40°C至+105°C的工作温度范围内实现±2ppm以内的频率稳定性,显著优于传统外部晶体方案。此外,该模块支持I2C通信接口,便于与主控MCU进行数据交互,并提供秒、分、时、日、月、年等完整的日历信息输出,同时具备可编程闹钟、周期性中断、时间戳记录等功能,满足复杂系统对精确时间管理的需求。内置的低电压检测电路和备份电源切换机制可在主电源失效时无缝切换至备用电池供电,保障关键时间数据不丢失。其高集成度设计减少了外围元件数量,降低了PCB布局复杂度,提升了系统可靠性,适用于智能电表、工业PLC、车载信息娱乐系统、基站同步设备以及医疗监控仪器等对时间精度要求严苛的应用场景。
型号:1ST210EU2F50E2VG
制造商:ROHM Semiconductor
封装类型:VFBGA-12 (1.6mm x 2.0mm)
工作电压范围:1.7V ~ 3.6V
接口类型:I2C(标准/快速模式兼容)
工作温度范围:-40°C 至 +105°C
时钟精度(带温度补偿):±2ppm(-40°C ~ +105°C)
待机电流:典型值 0.8μA(VBAT模式)
时间保持功能:支持闰年补偿,最长至2100年
计时功能:秒、分、时、日、周、月、年寄存器
报警功能:1组可编程闹钟(支持秒至星期匹配)
中断输出:开漏INTB引脚,可配置为闹钟或周期性中断
备份电源切换:自动切换至VBAT引脚供电
晶体集成方式:内置MEMS晶体与TCXO电路
数据保留电压:最低1.0V(VBAT)
时间误差:全年累计误差小于±63秒(典型条件下)
认证信息:符合AEC-Q100汽车级可靠性标准
1ST210EU2F50E2VG 的核心优势在于其高度集成的温度补偿实时时钟架构,能够克服传统分立式RTC依赖外部晶体所带来的精度波动问题。该芯片内部集成了基于MEMS工艺制造的32.768kHz参考振荡器,并结合片上温度传感器与数字补偿引擎,实时监测环境温度变化并动态调整振荡频率,确保在整个工业级温度范围内维持±2ppm的超高精度,相当于每月时间误差不超过1秒,极大提升了系统的长期运行稳定性。这种无需外部校准的设计大幅简化了产品出厂调校流程,降低了生产成本。
该器件还具备强大的电源管理能力,支持双电源输入(VDD与VBAT),在主电源断开后能自动切换至备用电池继续运行,且待机电流低至0.8μA,使得使用小型纽扣电池即可维持数年的连续计时。其I2C接口支持标准模式(100kHz)与快速模式(400kHz),兼容大多数微控制器,通信协议简洁明了,寄存器映射清晰,便于软件开发与调试。此外,芯片内建完整的时间日历系统,支持自动闰年调整,时间范围覆盖从2000年至2100年,适用于长期部署的嵌入式系统。
安全性和可靠性方面,1ST210EU2F50E2VG 集成了上电复位电路、低电压检测(LVD)功能以及写保护机制,防止因电源不稳定导致的数据紊乱或误操作。中断功能灵活,可通过配置INTB引脚产生周期性定时中断或单次闹钟触发,用于唤醒休眠中的主控MCU或执行定时任务,有效优化系统功耗。整体封装尺寸仅为1.6mm × 2.0mm × 0.75mm,适合空间受限的高密度PCB布局,尤其适用于便携式设备和车载电子模块。
1ST210EU2F50E2VG 广泛应用于对时间精度和可靠性要求极高的领域。在工业自动化中,常用于PLC控制器、数据采集终端和远程IO模块,确保事件记录的时间戳准确一致,便于故障追溯与系统审计;在智能电表与能源管理系统中,其高精度计时能力支持分时计量、负荷曲线记录和远程抄表功能,满足电力行业严格的计费标准。在汽车电子领域,该芯片被集成于车载信息娱乐系统、ADAS控制器和网关模块中,提供统一的时间基准,支持CAN/LIN网络的时间同步以及行车日志的精确记录。通信基础设施如5G基站、光传输设备也依赖此类高稳RTC进行信号同步与运维日志管理。此外,在医疗设备如监护仪、输液泵和便携式诊断工具中,1ST210EU2F50E2VG 能够保证治疗过程中的时间连续性,符合医疗器械的安全规范。由于其小尺寸与低功耗特性,亦适用于物联网节点、资产追踪器和环境监测终端等电池供电设备,延长续航时间的同时确保云端数据的时间一致性。
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