时间：2025/12/26 17:58:54
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1ST085EN3F43I3VG是一款由安森美（onsemi）推出的高性能、低功耗的硅基光电晶体管输出光耦合器，广泛应用于需要电气隔离的信号传输场景。该器件采用先进的封装技术，具备优异的绝缘性能和长期可靠性，适用于工业控制、电源管理、通信接口及医疗设备等对安全与稳定性要求较高的领域。其设计旨在实现输入侧与输出侧之间的完全电气隔离，防止噪声干扰、电压浪涌以及接地环路问题，从而提升系统的整体抗干扰能力与安全性。该光耦内部由一个砷化铝镓（AlGaAs）红外发光二极管和一个集成的NPN型光电晶体管构成，通过光信号传递电信号，确保了信号在不同电位系统间的可靠传输。此外，1ST085EN3F43I3VG符合多项国际安全标准，包括UL、CSA、VDE等，在600V工作电压下仍能保持良好的绝缘性能，是现代电子系统中实现隔离功能的关键元件之一。
型号：1ST085EN3F43I3VG
制造商：onsemi（安森美）
器件类型：光电晶体管输出光耦合器
通道数：1
输入正向电流（IF）：20 mA
输入反向电压（VR）：5 V
输出集电极-发射极电压（VCEO）：35 V
输出发射极-集电极电压（VECO）：7 V
输出集电极电流（IC）：100 mA
隔离电压（VISOL）：3750 VRMS（1分钟，符合UL 1577）
工作温度范围：-40°C 至 +110°C
存储温度范围：-55°C 至 +125°C
最大功耗（PD）：200 mW
CMTI（共模瞬态抗扰度）：15 kV/μs（典型值）
响应时间（ton/toff）：3 μs / 3 μs（典型值）
电流传输比（CTR）：50% ~ 600%（测试条件：IF = 5mA, VCE = 5V）
封装类型：SO-4（表面贴装）
引脚数：4
爬电距离：≥7.5 mm
电气间隙：≥7.5 mm
1ST085EN3F43I3VG具备卓越的电气隔离性能，其隔离电压高达3750 VRMS，能够在高压环境中安全运行，有效防止高电压对低压控制电路的损害。该光耦采用宽体SO-4封装，提供足够的爬电距离和电气间隙，满足IEC/EN/DIN EN 60747-5-5标准中的增强绝缘要求，适用于工业自动化、可再生能源系统和电动汽车充电设备等严苛应用环境。
该器件具有高共模瞬态抗扰度（CMTI），典型值达到15 kV/μs，能够在存在快速电压变化的噪声环境中稳定工作，避免因共模噪声引起的误触发或信号失真，确保数据传输的准确性与系统稳定性。这一特性使其特别适合用于变频器、伺服驱动器和开关电源中的反馈回路或数字信号隔离。
1ST085EN3F43I3VG的电流传输比（CTR）范围宽泛，为50%至600%，表明其在不同工作条件下均能保持良好的信号增益能力。即使在老化或高温环境下，仍能维持较高的CTR值，延长器件使用寿命并提升系统可靠性。同时，其响应时间短，导通与关断时间均为3微秒左右，支持中高速信号传输，可用于PWM控制、数字I/O隔离和通信接口隔离等场合。
该光耦的工作温度范围为-40°C至+110°C，具备出色的热稳定性，可在极端温度条件下正常工作。其低功耗设计和高效率的光电转换机制有助于减少系统发热，提高能效。此外，该器件符合RoHS指令和无卤素要求，支持环保制造流程，适用于全球市场的电子产品设计。
1ST085EN3F43I3VG广泛应用于需要电气隔离的各种工业与消费类电子系统中。在工业自动化领域，常用于PLC（可编程逻辑控制器）、I/O模块、电机驱动器和传感器接口中，实现控制信号与执行机构之间的隔离，防止强电干扰影响弱电控制系统。
在电源管理系统中，该光耦被用作开关电源（SMPS）的反馈元件，将次级侧的电压或电流信息隔离后传送到初级侧控制器，以实现精确的闭环稳压控制。由于其高CTR和快速响应特性，能够有效提升电源的动态响应速度和负载调整率。
在通信接口中，如RS-232、RS-485和CAN总线隔离电路中，1ST085EN3F43I3VG可用于隔离数据信号，消除接地电位差带来的干扰，提高通信的可靠性与抗噪能力。
此外，该器件也适用于医疗设备、测试测量仪器、智能电表以及太阳能逆变器等对安全隔离等级要求较高的应用场景。其高隔离电压和增强绝缘特性满足医疗电气安全标准，保障患者与操作人员的安全。
HCPL-073L-500E
EL3H7G
TLP290-4GB
