型号：1SS81-E
　　类型：硅高速开关二极管
　　最大正向电流：150 mA
　　峰值反向电压：100 V
　　正向压降：1.0 V（最大值，@100mA）
　　反向恢复时间：4 ns（最大值）
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　存储温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：SOD-523（小型表面贴装封装）

1SS81-E 是一款高性能的硅高速开关二极管，具备极短的反向恢复时间（trr）和快速的开关响应能力。其反向恢复时间最大仅为4 ns，这使得该二极管非常适合用于高频电路中的整流和开关操作。此外，1SS81-E 的正向压降较低，在100 mA电流下最大为1.0 V，有助于降低功耗并提高电路效率。
　　该器件采用了玻璃钝化工艺，提升了稳定性和可靠性，并具有良好的温度适应能力，能够在-55°C至+150°C的温度范围内稳定工作。1SS81-E 的SOD-523封装形式体积小巧，便于在高密度印刷电路板（PCB）上安装，适用于便携式电子设备和自动化控制系统。
　　在电气特性方面，1SS81-E 可承受高达100 V的反向电压，最大正向工作电流为150 mA，具备较强的过载承受能力。该二极管还具有低漏电流特性，在常温下反向漏电流极低，进一步增强了其在精密电路中的适用性。

1SS81-E 常用于高速开关电路、数字逻辑电路中的信号整流和钳位保护。在通信设备中，该二极管可用于高频信号的检测和整流，适用于无线基站、光纤通信模块和路由器等设备。
　　此外，1SS81-E 也广泛应用于计算机及其外围设备中，如电源管理电路、信号转换电路和保护电路等。在工业自动化控制系统中，该器件可用于传感器信号处理、继电器驱动保护和高频脉冲整流等场合。
　　由于其高速特性，1SS81-E 还适用于消费类电子产品，如智能手机、平板电脑和智能穿戴设备中的电源切换和信号路径控制。

1SS81-HT; 1SS81-T; RS1H-E; ES1G