1SS355VMTE-17 是一种基于肖特基势垒二极管(Schottky Barrier Diode)的高速整流二极管。该器件具有低正向压降、快速开关速度和高效率的特点,广泛应用于高频电路和电源管理领域。
这种二极管采用了金属半导体接触技术,能够显著降低功耗并提高系统性能。它通常被设计用于要求低损耗和快速响应的应用场景。
最大正向电流:4A
峰值反向电压:100V
正向电压:0.6V
反向恢复时间:35ns
工作温度范围:-55℃至+175℃
封装形式:TO-220AC
1SS355VMTE-17 具有以下主要特性:
1. 快速反向恢复时间:仅为35纳秒,适合高频应用。
2. 低正向压降:典型值为0.6伏,有助于减少功率损耗。
3. 高峰值反向电压:支持高达100伏的工作电压,适用于多种应用场景。
4. 宽工作温度范围:从-55℃到+175℃,确保在极端条件下仍能稳定运行。
5. 耐热性能优越:采用高效的散热封装设计,延长了产品的使用寿命。
6. 稳定性高:即使在长时间使用后,其电气参数也能保持一致。
该二极管适用于以下应用:
1. 开关电源中的整流器和续流二极管。
2. 高频逆变器和DC-DC转换器中的关键元件。
3. 通信设备中的信号处理电路。
4. 工业自动化设备中的电源管理模块。
5. 太阳能逆变器和其他可再生能源系统中的高效能量转换组件。
由于其卓越的性能,1SS355VMTE-17 成为了许多现代电子系统中不可或缺的一部分。
1SS354VMTE-17, MBR4100T3G, SS44