时间：2025/12/25 10:29:55
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1SS355VMFHTE-17是一款由ROHM Semiconductor（罗姆半导体）生产的表面贴装型PIN二极管，专为高频信号开关和衰减应用设计。该器件采用小型化VMF封装（0603尺寸，1.6mm x 0.8mm），非常适合对空间要求严格的便携式电子设备，如智能手机、平板电脑、无线通信模块和其他高频射频（RF）系统。作为一款PIN二极管，1SS355VMFHTE-17在正向偏置时呈现低阻抗状态，反向偏置时则呈现高阻抗状态，从而实现对射频信号路径的有效控制。其结构中的本征层（I层）使其具备良好的线性度和较高的截止频率，能够在GHz级别的频率下稳定工作。该器件在制造过程中符合AEC-Q101汽车级可靠性标准，适用于车载信息娱乐系统、车载通信模块等对可靠性和温度稳定性要求较高的应用场景。此外，产品符合RoHS环保规范，采用无铅焊接工艺，支持回流焊装配，适合自动化大规模生产。
型号：1SS355VMFHTE-17
制造商：ROHM Semiconductor
封装类型：VMF（0603）
元件类型：PIN二极管
最大反向电压：70V
最大正向电流：100mA
最大反向恢复时间：4ns
电容（@1MHz, 1V）：0.4pF
串联电阻（Rs）：2.5Ω
工作温度范围：-40°C ~ +125°C
存储温度范围：-55°C ~ +150°C
功率耗散：150mW
1SS355VMFHTE-17的高频性能表现优异，其在1GHz频率下的典型结电容仅为0.4pF，这使得它在射频信号路径中引入的寄生电容极小，有助于维持系统的阻抗匹配和信号完整性。低电容特性使其适用于高频开关电路，能够有效减少信号衰减和失真，提升整体系统带宽。同时，该器件具有较低的串联电阻（Rs = 2.5Ω），进一步降低了导通状态下的插入损耗，提高了信号传输效率。
该PIN二极管的快速反向恢复时间（trr = 4ns）确保了其在高速切换应用中的响应能力，能够在射频前端模块中实现毫微秒级的开关动作，满足TD-LTE、5G sub-6GHz等现代通信协议对快速信道切换的需求。其本征层经过优化设计，在保证低电容的同时提升了载流子寿命，增强了器件的线性度和功率处理能力，适用于中等功率等级的射频开关和可变衰减器电路。
热稳定性和长期可靠性是1SS355VMFHTE-17的另一大优势。得益于ROHM先进的芯片制造工艺和VMF封装技术，该器件能在-40°C至+125°C的宽温度范围内稳定工作，适用于高温环境下的车载电子和工业设备。此外，产品通过AEC-Q101认证，表明其在温度循环、高温高湿偏压、机械冲击等严苛测试条件下均能保持性能稳定，极大提升了系统整体的耐用性。
小型化的VMF封装不仅节省PCB空间，还具有良好的高频接地特性，减少了引线电感对高频性能的影响。该封装采用铜合金引脚框架，提高了热导率和机械强度，有助于热量从芯片传导至PCB，避免局部过热导致性能下降或失效。此外，器件采用卷带编带包装（Tape and Reel），便于SMT贴片机自动取放，提升生产效率和良率。
1SS355VMFHTE-17广泛应用于各类高频射频电路中，尤其适合作为射频开关的核心元件，用于移动通信设备中的天线调谐、多频段选择、发射与接收路径切换等功能。在智能手机和平板电脑中，该器件可用于Wi-Fi 6/6E、蓝牙、GPS以及蜂窝网络（如LTE、5G NR）的射频前端模块，实现不同频段之间的快速切换与信号路由控制。
此外，该PIN二极管也可用于可变衰减器电路，通过调节正向偏置电流来改变其阻抗特性，从而实现对射频信号幅度的精确控制。这种应用常见于自动增益控制（AGC）系统、雷达前端、软件定义无线电（SDR）等需要动态调整信号强度的场合。
在车载电子领域，1SS355VMFHTE-17被用于车载导航系统、V2X通信模块、远程信息处理单元（Telematics）等，因其具备AEC-Q101认证和出色的温度适应性，能够在发动机舱附近或极端气候条件下长期稳定运行。
工业与物联网设备中，该器件也常用于无线传感器网络、RFID读写器、智能家居网关等产品的射频信号管理部分，提供高效、低功耗的信号切换解决方案。其小型封装和高性能特性使其成为现代紧凑型无线设备的理想选择。
MA4P7580L-109
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