类型：小信号二极管
　　最大正向电流（IF）：100 mA
　　最大反向电压（VR）：70 V
　　正向压降（VF）：1.0 V（最大值，IF=10mA时）
　　反向漏电流（IR）：100 nA（最大值，VR=70V时）
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：SOD-523

1SS181LT1G二极管具有良好的开关特性和高稳定性，适用于高频开关应用。该器件的反向恢复时间非常短，能够有效提升电路的工作效率。此外，它还具备较高的反向电压承受能力，可应用于多种复杂的电路环境。
　　该二极管采用了ON Semiconductor的先进制造工艺，确保了器件在各种工作条件下均能保持稳定的性能。其SOD-523封装形式体积小巧，便于在PCB上布局和安装，适合高密度组装的需求。
　　1SS181LT1G的热性能良好，能够在较宽的温度范围内正常工作。其额定工作温度范围为-55°C至+150°C，这使得该器件能够在极端环境下保持稳定运行。此外，该二极管的可靠性高，具有较长的使用寿命，适合对可靠性有较高要求的应用场合。

1SS181LT1G主要用于各种电子设备中的高速开关应用，例如通信设备、消费电子产品、工业控制系统以及汽车电子系统等。在这些应用中，该二极管可以用于信号切换、整流、保护电路等多种功能。
　　在通信设备中，1SS181LT1G可用于射频信号的开关控制，确保信号传输的稳定性和可靠性。在消费电子产品中，该器件可以用于电源管理、信号处理等电路中，提升设备的整体性能。
　　工业控制系统中，1SS181LT1G可用于控制电路中的信号切换，提高系统的响应速度和稳定性。而在汽车电子系统中，该二极管可以用于电源管理和信号控制，确保车辆电子系统的可靠运行。

1N4148WS, BAS70-05