时间：2025/8/6 19:52:33
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1SP0635V2M112是一款由Power Integrations推出的集成式门极驱动器芯片，专为高功率应用中的IGBT和MOSFET器件设计。该芯片基于Power Integrations的专利SCALE-2技术，提供了高度集成的解决方案，集成了电源、驱动和保护功能，适用于各种工业电力电子系统。
工作电压：24V DC
输出电流：最大±5A
工作温度范围：-40°C至+125°C
隔离电压：5700Vrms（增强型隔离）
驱动能力：适用于1200V/1700V IGBT模块
短路保护响应时间：小于1.3μs
工作频率范围：DC至100kHz
封装类型：双列直插式（DIP）
1SP0635V2M112采用了SCALE-2技术，具备高度集成的特点，将门极驱动、电源和保护功能集成在一个紧凑的封装中。该芯片支持双通道配置，可以灵活应用于半桥、全桥或其他拓扑结构。其内置的动态响应功能可确保在负载突变时保持稳定性能。
此外，该器件具备强大的保护功能，包括欠压锁定（UVLO）、过流保护（OCP）和过温保护（OTP），有效防止器件损坏并提高系统可靠性。增强型隔离设计确保了电气安全性，适用于高电压和高功率应用场景。
1SP0635V2M112还支持即插即用的配置方式，用户无需额外的外部电路即可实现基本的驱动功能。其可调驱动强度功能允许用户根据不同的功率器件进行优化，以减少开关损耗和电磁干扰（EMI）。
该芯片的封装设计考虑了工业应用的环境要求，具备良好的散热性能和机械稳定性，适合在严苛环境中长期运行。
1SP0635V2M112主要应用于工业电机驱动、伺服系统、UPS（不间断电源）、太阳能逆变器、电能质量调节设备以及电动汽车充电系统等高功率场合。其高集成度和可靠性能使其成为工业自动化和新能源系统中IGBT模块的理想驱动解决方案。
1SP0635V2M112H
