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1SP0335V2M1-5SNA0600G650100 发布时间 时间:2025/8/7 2:54:13 查看 阅读:18

1SP0335V2M1-5SNA0600G650100 是由赛米控(SEMIKRON)推出的一款高性能IGBT(绝缘栅双极型晶体管)驱动器模块,专为高功率应用设计。该模块结合了先进的驱动技术和保护功能,能够可靠地驱动和保护高功率IGBT器件,广泛应用于工业电机驱动、可再生能源系统、电力传输与分配等领域。

参数

模块型号:1SP0335V2M1-5SNA0600G650100
  类型:IGBT驱动器模块
  输出通道数:2通道(双通道)
  最大输出电流:±15A
  供电电压范围:15V至30V DC
  工作温度范围:-40°C至+125°C
  短路保护:具备
  过流保护:具备
  欠压锁定保护(UVLO):具备
  绝缘等级:增强型绝缘
  封装形式:模块化封装
  符合标准:RoHS、REACH

特性

1SP0335V2M1-5SNA0600G650100 驱动器模块采用赛米控专有的双通道驱动技术,具备高性能和高可靠性。其双通道设计可以同时驱动两个IGBT模块,适用于半桥或全桥拓扑结构。模块内部集成了多种保护功能,包括短路保护、过流保护和欠压锁定保护,能够在异常工作条件下迅速响应,保护IGBT器件免受损坏。
  该模块具有宽广的输入电压范围(15V至30V DC),适用于多种电源设计,同时具备较强的抗干扰能力,适合在工业环境中使用。此外,其增强型绝缘设计确保了在高电压应用中的安全性和稳定性,能够在恶劣环境下长时间运行。
  模块的封装形式采用模块化设计,便于安装和维护,并具有良好的散热性能,适用于高功率密度应用。模块的设计符合RoHS和REACH环保标准,满足现代工业对绿色电子产品的严格要求。

应用

1SP0335V2M1-5SNA0600G650100 主要应用于高功率IGBT驱动场合,如工业变频器、伺服驱动器、电力电子变换器、可再生能源系统(如光伏逆变器和风力发电变流器)、轨道交通牵引系统、电动汽车充电设备等。由于其具备强大的驱动能力和多重保护功能,该模块也适用于对可靠性要求较高的自动化控制系统和电力质量调节设备。

替代型号

1SP0335V2M1-5SNA0600G650100的替代型号包括1SP0335V2M1-5SNA0600G650100A、1SP0335V2M1-5SNA0600G650100B等,具体可根据实际应用需求选择适配的版本。

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1SP0335V2M1-5SNA0600G650100参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格6 : ¥1,607.53667托盘
  • 系列SCALE?-2
  • 包装托盘
  • 产品状态在售
  • Digi-Key ProgrammableNot Verified
  • 驱动配置高压侧或低压侧
  • 通道类型单路
  • 驱动器数1
  • 栅极类型IGBT
  • 电压 - 供电23.5V ~ 26.5V
  • 逻辑电压?- VIL,VIH-
  • 电流 - 峰值输出(灌入,拉出)35A,35A
  • 输入类型-
  • 高压侧电压 - 最大值(自举)6500 V
  • 上升/下降时间(典型值)9ns,30ns
  • 工作温度-40°C ~ 85°C
  • 安装类型底座安装
  • 封装/外壳模块
  • 供应商器件封装模块