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1SP0335V2M1-33 发布时间 时间:2025/8/7 12:50:54 查看 阅读:10

1SP0335V2M1-33 是由 Infineon(英飞凌)公司生产的一款单通道栅极驱动器集成电路,专为高性能功率半导体器件(如 IGBT 和功率 MOSFET)提供隔离式驱动支持。该芯片基于英飞凌的专有 SLC(Short Line Concept)技术,提供高可靠性和抗干扰能力。它适用于工业电力电子系统,例如变频器、逆变器和电机驱动器。该驱动器集成米勒钳位功能,有助于防止由于寄生电容引起的误开通。此外,1SP0335V2M1-33 还具备过流保护和欠压锁定保护等内置安全功能,确保系统运行的稳定性。

参数

供电电压范围:15 V 至 30 V
  输出驱动电流:+2.5 A / -2.5 A
  最大开关频率:200 kHz
  输入信号类型:兼容 3.3 V 和 5 V TTL/CMOS 电平
  隔离电压:5700 Vrms(增强型隔离)
  工作温度范围:-40°C 至 +125°C
  封装类型:双列直插式(DIP)

特性

1SP0335V2M1-33 是一款采用先进磁耦隔离技术的单通道栅极驱动器芯片,其主要特性包括高速驱动能力、强抗干扰性和集成的安全保护机制。该芯片的 SLC 技术显著减少了高频开关过程中的信号延迟和抖动,提高了系统效率。其输出驱动电流为 ±2.5 A,能够有效驱动中高功率等级的 IGBT 和 MOSFET,同时支持高达 200 kHz 的开关频率,适用于高频率应用。内置的米勒钳位功能防止在关断过程中因寄生电容导致的误开通,提升系统可靠性。
  此外,1SP0335V2M1-33 集成了欠压锁定(UVLO)功能,确保在供电电压不足时自动关闭输出,防止不完全导通造成的器件损坏。其输入端支持 3.3 V 和 5 V 标准逻辑电平,便于与控制器(如 DSP 或 MCU)连接。该芯片的增强型磁隔离设计提供高达 5700 Vrms 的隔离电压,满足工业应用中的高安全性要求。同时,该器件采用 DIP 封装,便于安装和维护。

应用

1SP0335V2M1-33 主要应用于需要高效驱动 IGBT 或功率 MOSFET 的场合,包括工业电机驱动、伺服控制器、通用变频器、UPS(不间断电源)、太阳能逆变器和电动汽车充电设备等。由于其具备高隔离电压和内置保护功能,特别适合用于高噪声环境和对系统稳定性要求较高的工业控制系统。此外,该芯片也可用于功率因数校正(PFC)电路和高频 DC-DC 转换器。

替代型号

1SP0335V2M1-33 可以使用 1SP0335V2Q0-33 或 1SP0335V2M0-33 作为替代型号。这些型号在性能和功能上相似,但在封装或接口设计上略有不同,具体选择应根据实际应用需求进行匹配。

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1SP0335V2M1-33参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格6 : ¥2,437.48000散装
  • 系列SCALE?-2
  • 包装散装
  • 产品状态在售
  • Digi-Key ProgrammableNot Verified
  • 驱动配置高压侧或低压侧
  • 通道类型单路
  • 驱动器数1
  • 栅极类型IGBT
  • 电压 - 供电23.5V ~ 26.5V
  • 逻辑电压?- VIL,VIH-
  • 电流 - 峰值输出(灌入,拉出)35A,35A
  • 输入类型-
  • 高压侧电压 - 最大值(自举)3300 V
  • 上升/下降时间(典型值)9ns,30ns
  • 工作温度-40°C ~ 85°C(TA)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳模块
  • 供应商器件封装模块