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1SMB5917BT3G 发布时间 时间:2025/6/29 3:10:00 查看 阅读:5

1SMB5917BT3G 是一款肖特基势垒二极管(Schottky Barrier Diode),由意法半导体(STMicroelectronics)生产。该器件具有低正向电压降和快速开关特性,适用于高频整流、逆变器、DC-DC转换器以及各种电源管理应用。其封装形式为 SOD-123FL,适合表面贴装工艺。

参数

最大反向电压:60V
  最大正向电流:1A
  正向电压(典型值,IF=1A):0.48V
  反向漏电流(VR=60V,TJ=25°C):10μA
  结电容(典型值):18pF
  工作温度范围:-65°C 至 +175°C
  封装类型:SOD-123FL

特性

1SMB5917BT3G 具有以下显著特点:
  1. 采用肖特基技术,具备极低的正向电压降,可有效降低功耗并提高系统效率。
  2. 快速恢复时间,能够适应高频电路需求。
  3. 高温性能稳定,能够在高达 +175°C 的环境下正常工作,非常适合汽车及工业级应用。
  4. 小型化封装设计,便于实现高密度布局和自动化生产。
  5. 符合 RoHS 标准,环保且无铅。

应用

这款二极管广泛应用于各类电子设备中,包括但不限于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)中的整流和箝位功能。
  2. DC-DC 转换器中的同步整流。
  3. 电池充电器保护电路。
  4. 汽车电子系统的瞬态电压抑制。
  5. 通信设备中的信号处理与能量转换模块。
  6. 各种便携式设备的高效电源管理方案。

替代型号

1SMB5916BT3G, 1SMB5918BT3G, RB5917PF, MBR160HT1G

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1SMB5917BT3G参数

  • 标准包装10
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭单二极管/齐纳
  • 系列-
  • 电压 - 齐纳(标称)(Vz)4.7V
  • 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大)1.5V @ 200mA
  • 电流 - 在 Vr 时反向漏电5µA @ 1.5V
  • 容差±5%
  • 功率 - 最大550mW
  • 阻抗(最大)(Zzt)5 欧姆
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳DO-214AA,SMB
  • 供应商设备封装SMB
  • 包装Digi-Reel®
  • 工作温度-65°C ~ 150°C
  • 其它名称1SMB5917BT3GOSDKR