时间：2025/7/1 19:07:04
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1SMB2EZ51是一款由Semiconductor Components Industries, LLC（现为ON Semiconductor）生产的瞬态电压抑制二极管（TVS Diode）。该器件主要用于保护电子电路免受静电放电（ESD）、感应雷击和其他瞬态电压的损害。其单向设计使其适用于直流电源线和信号线路中的过压保护应用。
该器件具有低电容、快速响应时间和高浪涌能力的特点，确保在瞬态事件发生时能够迅速钳位电压并吸收浪涌电流，从而保护下游敏感元件。
最大反向工作电压：5.8V
击穿电压：6.8V
最大箝位电压：11.4V
峰值脉冲电流：39A
结电容：4pF
反向泄漏电流：1μA
响应时间：1ps
功率耗散：360mW
1SMB2EZ51采用了DO-214AC小尺寸封装，适合表面贴装技术（SMT），便于自动化生产。
它具有以下特点：
- 快速响应时间，可有效抑制瞬态电压;
- 高度可靠的ESD防护能力;
- 极低的负载电容，适合高速数据线路保护;
- 符合RoHS标准，环保无铅设计;
- 工作温度范围广：-55°C至+150°C，适用于恶劣环境下的应用。
该二极管广泛应用于消费电子、通信设备、工业控制以及汽车电子领域中的过压保护场景。
典型应用场景包括：
- 手机和其他便携式设备的接口保护;
- USB、HDMI等高速数据线的ESD保护;
- 无线模块和传感器信号线路的瞬态抑制;
- 汽车电子系统中的电源输入保护。
由于其卓越的性能和可靠性，1SMB2EZ51成为许多设计工程师的首选保护元件。
PESD5V0R1BAB,
SMBJ5.0A,
1.5KE6.8A,
SMAJ6.0A
