类型：齐纳二极管
　　封装：SMA（DO-214AC）
　　齐纳电压（Vz）：3.3V
　　电压容差：±5%
　　额定功率：1W
　　测试电流（IzT）：76mA
　　最大齐纳阻抗（Zzt）：10Ω
　　工作结温范围：-65°C 至 +175°C
　　存储温度范围：-65°C 至 +175°C
　　反向漏电流（IR）：5μA（最大值，VR = 1V）

1SMA4753R2齐纳二极管的核心特性之一是其精确且稳定的齐纳击穿电压，标称值为3.3V，容差控制在±5%以内，这使得它非常适合作为低压参考源使用。在现代电子系统中，尤其是涉及微控制器、传感器接口或逻辑电平转换的应用中，3.3V是一个极为常见的电源电压等级，因此该器件能够无缝集成到这些系统中，提供基准或保护功能。其齐纳击穿机制主要依赖于隧道效应（Zener effect），因为在3.3V的低电压下，量子隧穿主导了反向导通过程，相较于高电压齐纳二极管中的雪崩击穿，具有更低的噪声和更陡峭的伏安特性曲线。
　　该器件在76mA的测试电流下工作，能够有效维持电压稳定，同时其最大齐纳阻抗仅为10Ω，表明其对电流变化的响应非常灵敏，能够在负载波动时保持较小的电压偏差。低动态阻抗是衡量齐纳二极管性能的重要指标，直接影响电压调节的精度。此外，1SMA4753R2具备良好的温度系数，在额定工作范围内，电压漂移较小，尤其在接近3.3V的低电压段，温度系数趋于零点附近，有助于提升长期工作的稳定性。其1W的功率额定值允许在有限散热条件下处理一定的功耗，适用于瞬态过压抑制或稳态偏置供电场景。
　　SMA封装具有较小的物理尺寸（约4.5mm x 2.6mm x 2.2mm），便于在高密度PCB布局中使用，同时具备较好的热传导性能。该器件符合行业标准JEDEC DO-214AC规范，确保不同制造商之间的互换性。在可靠性方面，经过严格的高温反向偏置（HIRB）和高温存储寿命（HTSL）测试，保证在恶劣环境下的长期稳定性。此外，器件具有较低的反向漏电流，在未达到击穿电压前仅有微安级电流流过，减少了待机功耗。综合来看，1SMA4753R2凭借其紧凑设计、电气精度和环境适应性，成为众多低压稳压与保护电路中的首选元件。

1SMA4753R2广泛应用于各种需要稳定3.3V参考电压或过压保护的电子电路中。在电源管理单元中，常被用作低压线性稳压器的反馈基准，或在无源分压网络中提供精准的电压采样点。由于其快速响应特性和低动态阻抗，该器件非常适合用于瞬态电压抑制（TVS）场合，例如保护敏感的CMOS输入引脚免受静电放电（ESD）或电压浪涌的影响。在微控制器系统中，可作为复位电路的电压检测元件，当电源电压低于阈值时触发复位操作，确保系统可靠启动。
　　在信号调理电路中，1SMA4753R2可用于电平钳位，防止模拟信号超过ADC输入范围，从而避免损坏后续处理芯片。此外，在电池供电设备中，如智能手机、可穿戴设备和物联网节点，该器件因其小尺寸和低功耗特性而备受青睐，常用于电池电压监测或为低功耗外设提供稳定偏置。通信接口如USB、I2C、SPI等线路中也常集成此类齐纳二极管，以吸收感应噪声或短时过压脉冲，提高系统电磁兼容性（EMC）。
　　工业控制领域中，1SMA4753R2可用于PLC模块中的信号隔离与保护，特别是在数字输入通道中，防止现场侧高压窜入控制器核心。在汽车电子中，尽管其非车规级版本不适用于严苛环境，但在车载信息娱乐系统的辅助电路中仍有一定应用。此外，该器件还可用于构建简易的稳压电源，尤其是在成本敏感或空间受限的设计中，替代复杂的IC稳压方案。总之，凭借其可靠的性能和广泛的适用性，1SMA4753R2在现代电子设计中扮演着不可或缺的角色。

MMSZ5227B-7-F
　　MMBZ5227B-7-F
　　BZX84-C3V3
　　ZMM3V3