类型：齐纳二极管
　　封装类型：SMA
　　齐纳电压（Vz）：110V（标称值）
　　容差：±5%
　　最大耗散功率（Ptot）：1.0W
　　齐纳电流（Iz）：10mA（测试条件）
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　存储温度范围：-55°C至+150°C
　　最大反向漏电流（IR）：在额定电压下的特定温度条件下为0.1μA至100μA不等
　　封装材料：塑料，符合RoHS标准

1SMA110Z T/R齐纳二极管具有多项显著的性能特点。其主要功能是在反向击穿区域提供一个稳定的电压参考，使其适用于电压调节和电路保护应用。该器件的齐纳电压为110V，具有±5%的容差，确保了电压参考的精确性。SMA封装设计使得该二极管具备良好的热管理能力，能够有效散热，适用于高功率密度的电路设计。
　　该器件的最大耗散功率为1.0W，能够在较高的功率条件下正常工作。齐纳电流在测试条件下为10mA，保证了在正常工作范围内电压的稳定性。此外，1SMA110Z T/R的工作温度范围宽达-55°C至+150°C，适应各种恶劣环境条件，适用于工业控制、电源管理和汽车电子等应用领域。
　　1SMA110Z T/R还具备优异的反向漏电流性能，在额定电压下的反向漏电流极低，通常在0.1μA至100μA之间，从而降低了功耗并提高了电路的稳定性。其封装材料符合RoHS标准，满足环保要求，适合绿色电子产品的设计。

1SMA110Z T/R齐纳二极管广泛应用于需要稳定电压参考的电路中。其主要应用包括电源管理模块、电压调节器、电池管理系统和过压保护电路。在工业控制系统中，该器件可用于提供精确的电压参考，确保系统运行的稳定性。在汽车电子设备中，1SMA110Z T/R可以用于保护敏感的电子元件免受电压波动的影响。此外，它还适用于测试和测量设备、通信设备以及消费类电子产品中的稳压电路设计。
　　由于其高稳定性和可靠性，1SMA110Z T/R也可用于需要长时间工作的设备中，如不间断电源（UPS）、太阳能逆变器和工业传感器等。该器件的SMA封装设计使其易于集成到表面贴装电路板中，提高了生产效率并降低了制造成本。

P6KE110A, 1N4744A