类型：IGBT模块
　　集电极-发射极电压（Vce）：600V
　　集电极电流（Ic）：200A
　　工作温度范围：-40°C 至 +150°C
　　短路耐受能力：有
　　封装类型：双列直插式封装（DIP）
　　最大功耗：1.5kW
　　短路电流额定值：400A（10μs）
　　栅极驱动电压：±15V

1SG280LU3F50E2VGS1 模块采用了先进的IGBT芯片技术，具备低导通压降和快速开关特性，能够有效降低功率损耗，提高系统效率。其短路耐受能力确保在异常工况下器件不会立即损坏，从而提高了系统的可靠性。
　　该模块的封装设计采用了优化的内部布局，以减少寄生电感，提高电磁兼容性（EMC）性能。此外，模块内部集成了续流二极管（FWD），能够实现更紧凑的设计，并提高反向恢复特性。
　　在热管理方面，该模块采用了高导热性陶瓷基板（如Al?O?或Si?N?），能够有效散热，延长器件寿命。其封装材料符合RoHS标准，确保环保性能。
　　电气隔离性能优异，支持高电压应用，适用于多种拓扑结构，如半桥、全桥和三相逆变器结构。此外，该模块可通过外部栅极电阻调节开关速度，以满足不同应用对开关损耗和EMI性能的需求。

1SG280LU3F50E2VGS1 主要应用于工业自动化设备中的变频器和伺服驱动器、电动汽车充电系统、可再生能源系统（如太阳能逆变器）、UPS不间断电源、高频焊接设备以及各种高功率电机控制装置。其优异的性能和可靠性使其成为工业级和高要求电力电子系统中的理想选择。
　　在电机驱动应用中，该模块能够提供高效率的功率转换，支持精确的电机控制。在可再生能源系统中，其快速开关特性和高耐压能力使其适用于将直流电转换为交流电并馈入电网的过程。此外，在UPS系统中，它能够提供稳定的功率输出，确保在电力中断时负载的持续运行。

Toshiba: 1SG280LU3F50E2VGS1, 1SG280LU3F50E2VGS2, 1SG280LU3F50E2VGS3