类型：IGBT模块
　　集电极-发射极电压（Vce）：600V
　　额定集电极电流（Ic）：80A
　　短路耐受电流：150A
　　工作温度范围：-40°C 至 +150°C
　　封装类型：双列直插式（Dual-in-line）
　　导通压降（Vce_sat）：约1.5V（典型值）
　　开关损耗（Eon/Eoff）：根据测试条件不同而变化
　　内置二极管：快速恢复二极管
　　二极管正向电压（Vf）：约1.6V（典型值）

1SG280HU2F50E2VGS1 是一款高集成度的IGBT模块，具备优异的电气和热性能。其主要特性包括高耐压能力、低导通压降和快速开关特性，适用于高效率的电力电子系统。该模块内部集成了一个快速恢复二极管，能够有效减少开关损耗，提高系统的整体能效。此外，该模块具有良好的短路耐受能力，能够在极端工作条件下提供更高的可靠性和稳定性。
　　模块的封装设计采用了先进的绝缘技术，确保在高电压应用中的安全性和耐久性。其紧凑的结构使其易于集成到各种功率变换设备中，同时便于散热和维护。该模块还具备良好的抗振动和抗冲击能力，适用于工业环境中的高要求应用场景。
　　在控制方面，1SG280HU2F50E2VGS1 的栅极驱动接口设计优化，能够与常见的IGBT驱动器兼容，确保驱动信号的稳定性和可靠性。该模块的热阻较低，能够有效降低工作时的温度上升，延长使用寿命。

1SG280HU2F50E2VGS1 主要应用于工业电机控制、变频器、UPS（不间断电源）、太阳能逆变器以及电能质量调节设备等高功率电力电子系统。由于其高耐压能力和优异的开关性能，它也广泛用于电动汽车充电设备和工业自动化系统中的功率变换环节。此外，该模块还可用于焊接设备、感应加热系统以及电力储能系统等需要高效功率控制的场合。

Toshiba 1SG280HU2F50E2VGS1 的替代型号包括 Infineon 的 FF200R12KE3 和 STMicroelectronics 的 STGF80HF120S。这些型号在额定电压和电流参数上相近，并具有类似的封装形式，适用于类似的高功率应用场合。