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1SD312F2-DIM600NSM45-F000 发布时间 时间:2025/8/7 8:51:56 查看 阅读:30

1SD312F2-DIM600NSM45-F000是一种高性能的电子元器件芯片,广泛应用于工业控制和电力系统中。它是一款IGBT(绝缘栅双极晶体管)模块,结合了MOSFET的高输入阻抗和BJT的低导通压降特性,适用于高功率和高频率的应用场景。该模块具有较高的热稳定性和电气性能,适合在恶劣环境下运行。

参数

类型:IGBT模块
  集电极-发射极电压(Vce):1200V
  额定集电极电流(Ic):312A
  工作温度范围:-40°C至+150°C
  封装形式:DIM600NSM45-F000
  短路耐受能力:有
  绝缘等级:符合IEC 60146标准
  热阻(Rth):根据散热条件变化

特性

1SD312F2-DIM600NSM45-F000模块采用了先进的IGBT技术,具有优异的导通和开关性能,能够有效降低开关损耗并提高系统的整体效率。其高耐压和大电流承载能力使其适用于高功率应用。此外,该模块采用了优化的封装设计,具有良好的散热性能和机械稳定性,确保在高负载和高温环境下稳定运行。模块内部集成有保护电路,如过流和短路保护功能,增强了系统的可靠性和安全性。1SD312F2-DIM600NSM45-F000还支持多种安装方式,便于在不同应用中灵活使用。
  在应用方面,1SD312F2-DIM600NSM45-F000广泛用于变频器、逆变器、电能转换系统以及工业自动化设备中。其卓越的性能使其成为新能源领域(如太阳能逆变器和电动汽车充电系统)中的理想选择。此外,该模块还可用于电机驱动和不间断电源(UPS)等关键系统中,提供高效可靠的功率控制解决方案。

应用

工业变频器
  新能源发电系统(如太阳能逆变器)
  电动车辆充电设备
  电机驱动器
  UPS不间断电源
  电能质量调节设备

替代型号

1SD312F2-DIM600NSM45-F001, 1SD312F2-DIM600NSM45-G000

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1SD312F2-DIM600NSM45-F000参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列SCALE?-1
  • 包装散装
  • 产品状态停产
  • Digi-Key ProgrammableNot Verified
  • 驱动配置半桥
  • 通道类型单路
  • 驱动器数1
  • 栅极类型IGBT,N 沟道,P 沟道 MOSFET
  • 电压 - 供电15.5V ~ 16.8V
  • 逻辑电压?- VIL,VIH-
  • 电流 - 峰值输出(灌入,拉出)12A,12A
  • 输入类型-
  • 高压侧电压 - 最大值(自举)-
  • 上升/下降时间(典型值)100ns,100ns
  • 工作温度-40°C ~ 85°C(TA)
  • 安装类型底座安装
  • 封装/外壳模块
  • 供应商器件封装模块