时间：2025/12/26 17:13:23
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1SD280PT2F55E2VG是一款由Infineon Technologies（英飞凌）推出的智能电源开关芯片，属于其强大的OptiMOS? Power Stage产品系列。该器件集成了一个高性能的DrMOS（Drain-Source MOSFET with Driver and Controller）架构，专为高效率、高密度的电压调节应用而设计，尤其适用于现代计算平台中的CPU、GPU和ASIC等核心处理器的供电需求。1SD280PT2F55E2VG将上下桥臂MOSFET、栅极驱动器以及多种保护功能集成于单一封装中，显著简化了电源设计，提高了系统的可靠性和功率密度。该芯片采用先进的封装技术，具备优良的热性能和电气性能，能够在高频率下稳定工作，支持动态电压调节（DVR）和多相并联操作，满足严苛的能效标准和瞬态响应要求。此外，该器件内置了过流保护、过温保护、欠压锁定等多重安全机制，确保在异常工况下仍能安全运行。由于其高度集成化和优化的控制逻辑，1SD280PT2F55E2VG广泛应用于服务器、数据中心、高端台式机、网络通信设备以及工业自动化等对电源管理要求极高的领域。
型号：1SD280PT2F55E2VG
制造商：Infineon Technologies
产品系列：OptiMOS? Power Stage
类型：DrMOS（Digital Ready MOSFET）
输入电压范围：4.5V 至 25V
输出电流能力：最高可达60A持续输出
占空比范围：0% 至 100%
开关频率支持：最高可达1.5MHz
工作温度范围：-40°C 至 +125°C（结温）
存储温度范围：-55°C 至 +150°C
栅极驱动电压：典型值为10V
导通电阻（High-Side MOSFET）：约7mΩ（典型值）
导通电阻（Low-Side MOSFET）：约5mΩ（典型值）
封装类型：PowerPG-VQFN-8x8-29L
引脚数：29
安装方式：表面贴装（SMD）
符合RoHS标准：是
工作湿度范围：最大85% RH（非冷凝）
ESD保护：HBM模型≥2kV
1SD280PT2F55E2VG的核心优势在于其高度集成的DrMOS架构，将上下桥臂功率MOSFET与智能栅极驱动器整合于单一芯片内，极大减少了外部元件数量，提升了系统整体的可靠性与布局紧凑性。其采用的OptiMOS?沟槽型MOSFET技术具备极低的导通电阻和优异的开关特性，有效降低了传导损耗和开关损耗，从而实现高达95%以上的转换效率。该器件支持高频率PWM操作（最高可达1.5MHz），有助于减小外围电感和电容的体积，进一步提升功率密度。内置的栅极驱动器具备自适应死区时间控制功能，可防止上下管直通，同时优化开关速度以减少交叉导通损耗。芯片还集成了精确的电流检测电路，支持无感DCR电流检测或外部分流电阻检测，便于实现精准的电流监控与环路控制。
在保护机制方面，1SD280PT2F55E2VG具备全面的安全功能，包括逐周期过流保护（OCP）、输出短路保护、过温关断（OTP）和欠压锁定（UVLO）。当检测到异常电流或温度过高时，芯片会自动关闭输出并进入锁存或自动恢复模式，防止损坏自身及下游负载。其数字兼容输入接口支持与PMIC或控制器直接连接，无需额外电平转换，适用于数字化多相VRM架构。此外，该器件具有良好的热稳定性，通过底部散热焊盘高效导热至PCB，确保长时间高负载运行下的温度可控。所有这些特性使其成为高性能计算电源系统的理想选择。
1SD280PT2F55E2VG主要应用于需要高效、高电流密度电源解决方案的高端电子设备中。典型应用场景包括服务器主板上的CPU核心供电（Vcore）、图形工作站中的GPU供电模块、高端台式机的VRM设计以及网络交换机和路由器中的ASIC电源系统。由于其支持多相并联运行，能够均流分配负载电流，因此特别适合构建多相降压变换器，以满足现代处理器在待机和满载状态下对电压精度和瞬态响应的严格要求。此外，该芯片也广泛用于工业级计算平台、嵌入式AI加速器、FPGA电源管理单元以及电信基础设施设备中，作为主电源转换级的关键组件。在数据中心节能改造项目中，采用1SD280PT2F55E2VG可显著提升电源能效，降低PUE（电源使用效率）指标，符合绿色计算的发展趋势。其高可靠性和宽温工作能力也使其适用于恶劣工业环境下的长期稳定运行。
IR3555
ISL99227
TPS53679
RZ7T02001ANH
