时间：2025/12/26 18:08:03
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1SD280PT2F55E1VG是一款由罗姆半导体（ROHM Semiconductor）生产的硅P沟道功率MOSFET，采用先进的沟槽栅极工艺制造，专为高效率电源管理和功率开关应用设计。该器件封装在紧凑的表面贴装PowerSSM（也称为HSOP）封装中，具备优异的热性能和电气特性，适用于空间受限且对功耗敏感的应用场景。1SD280PT2F55E1VG的主要特点包括低导通电阻、高可靠性以及良好的瞬态响应能力，能够在较宽的温度范围内稳定工作。由于其P沟道结构，在栅极驱动电路设计上无需额外的电荷泵电路即可实现负载开关或高端驱动功能，从而简化了系统设计并降低了整体成本。这款MOSFET广泛用于便携式设备、电池供电系统、DC-DC转换器、电机控制模块以及其他需要高效能开关元件的电子设备中。ROHM通过严格的品质控制流程确保该产品符合AEC-Q101等汽车级可靠性标准，使其不仅适用于消费类电子产品，也可用于工业和车载环境中的关键功率控制节点。
型号：1SD280PT2F55E1VG
制造商：ROHM Semiconductor
器件类型：P沟道MOSFET
最大漏源电压（VDS）：-20V
最大连续漏极电流（ID）：-4.4A
最大脉冲漏极电流（IDM）：-11A
最大栅源电压（VGS）：±12V
导通电阻RDS(on)（典型值）：37mΩ @ VGS = -4.5V
导通电阻RDS(on)（最大值）：55mΩ @ VGS = -4.5V
阈值电压Vth（范围）：-1.0V ~ -2.3V
输入电容Ciss：690pF @ VDS = 10V
输出电容Coss：470pF @ VDS = 10V
反向恢复时间trr：未指定（体二极管）
工作结温范围：-55°C 至 +150°C
封装类型：PowerSSM (HSOP)
安装方式：表面贴装
功耗PD（最大值）：1.5W @ TA=25°C
1SD280PT2F55E1VG采用ROHM成熟的沟槽型MOSFET工艺，实现了极低的导通电阻与优异的开关性能之间的平衡。其RDS(on)在VGS = -4.5V时典型值仅为37mΩ，最大不超过55mΩ，这显著降低了导通状态下的功率损耗，提高了系统的整体能效。这对于电池供电设备尤为重要，有助于延长续航时间。器件的栅极电荷Qg较低，配合690pF的输入电容，使得在高频开关应用中具有快速的开关响应能力，减少了开关过程中的能量损耗。
该MOSFET具备出色的热稳定性，得益于其PowerSSM封装结构，具有优良的散热性能，即使在高负载条件下也能维持较低的工作温度。其-55°C至+150°C的宽工作结温范围，使其可在极端环境下可靠运行，适用于工业控制、汽车电子等严苛应用场景。此外，该器件的阈值电压范围合理（-1.0V ~ -2.3V），确保了在逻辑电平信号驱动下能够充分导通，同时避免误触发。
1SD280PT2F55E1VG内置的体二极管具有一定的反向恢复能力，虽然未明确标称trr值，但在多数非高频整流场合仍可胜任续流功能。器件符合RoHS环保标准，并通过无卤素认证，满足现代电子产品对环保和安全性的要求。其小型化封装有利于PCB布局优化，节省空间，特别适合智能手机、平板电脑、可穿戴设备等紧凑型电子产品中的电源管理模块使用。
1SD280PT2F55E1VG广泛应用于各类需要高效P沟道功率开关的电子系统中。常见用途包括便携式设备中的负载开关或电源路径管理，例如在手机、笔记本电脑和平板中控制不同电源域的开启与关闭。它也常用于DC-DC降压或升压转换器的同步整流部分，作为上管开关实现高效的能量转换。在电池管理系统（BMS）中，该器件可用于电池充放电通路的控制，提供低损耗的开关解决方案。
此外，该MOSFET适用于各类电机驱动电路，如微型风扇、振动马达等小功率直流电机的启停与方向控制。在工业自动化设备中，可用于传感器模块的电源控制或继电器驱动接口。由于其符合汽车级可靠性标准，也被应用于车载信息娱乐系统、仪表盘电源模块、车身控制单元（BCM）等汽车电子子系统中。其他潜在应用还包括LED背光驱动、热插拔控制器、USB端口电源管理以及各种需要逻辑电平直接驱动的高端开关场景。
RJK0345DPB
Si2301DS
AO3415
FDMC7680
BSS84
