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1SC0450E2B0-65 发布时间 时间:2025/8/7 7:59:33 查看 阅读:12

1SC0450E2B0-65 是一款由Power Integrations公司生产的单通道门极驱动器芯片,专为高功率IGBT(绝缘栅双极晶体管)和MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)应用设计。该芯片采用了Power Integrations独有的 SCALE-2+ 技术,提供高效的门极驱动能力,并具备强大的保护和诊断功能,适用于工业电力电子系统,如变频器、电机驱动器和逆变器等。

参数

型号: 1SC0450E2B0-65
  通道数: 单通道
  最大输出电流: 4.5A
  最大工作电压: 35V
  工作温度范围: -40°C 至 +125°C
  封装类型: DIP-14
  绝缘等级: 增强型隔离
  输入电源电压: 15V 至 35V
  输出电压范围: 0V 至 30V
  响应时间: <1μs
  短路保护响应时间: <1.5μs
  过温保护: 支持
  欠压保护: 支持

特性

1SC0450E2B0-65 采用了先进的 SCALE-2+ 集成驱动技术,能够提供高驱动能力和快速响应,适用于高频开关应用。其内置的短路保护功能可在检测到负载短路时迅速关闭IGBT/MOSFET,防止器件损坏。此外,芯片还具备过热保护和欠压锁定功能,确保系统在异常情况下仍能保持稳定运行。该芯片支持双向输入信号,并具有故障反馈信号输出,方便系统进行实时监控和诊断。
  在电气隔离方面,1SC0450E2B0-65 提供了增强型绝缘隔离能力,符合国际标准IEC 60747-17的要求,适用于要求高可靠性和安全性的工业控制系统。其DIP-14封装形式便于安装和维护,同时兼容标准PCB布局设计,提高了系统的集成度和可扩展性。

应用

1SC0450E2B0-65 主要用于需要高可靠性和高性能的电力电子系统中。典型应用包括工业变频器、伺服驱动器、可再生能源逆变器(如太阳能逆变器)、电动汽车充电设备以及电机控制系统等。由于其具备强大的驱动能力和完善的保护机制,该芯片特别适用于中高功率等级的IGBT和MOSFET驱动场合,能够显著提高系统的效率和稳定性,同时降低整体设计复杂度和维护成本。

替代型号

1SC0435E2B0-65, 1SC04HJ0E2B0-65

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1SC0450E2B0-65参数

  • 现有数量6现货
  • 价格1 : ¥1,540.62000托盘
  • 系列SCALE?-2
  • 包装托盘
  • 产品状态在售
  • Digi-Key ProgrammableNot Verified
  • 驱动配置高压侧或低压侧
  • 通道类型单路
  • 驱动器数1
  • 栅极类型IGBT
  • 电压 - 供电14.5V ~ 15.5V
  • 逻辑电压?- VIL,VIH-
  • 电流 - 峰值输出(灌入,拉出)50A,50A
  • 输入类型-
  • 高压侧电压 - 最大值(自举)6500 V
  • 上升/下降时间(典型值)30ns,25ns
  • 工作温度-40°C ~ 85°C(TA)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳模块
  • 供应商器件封装模块