器件型号：1S2076ARE
　　制造商：STMicroelectronics
　　产品类型：双向TVS二极管
　　封装类型：SOD-323 (SC-76)
　　通道数：单通道
　　工作方向：双向
　　反向关断电压（VRWM）：5V
　　击穿电压（VBR）：最小6.4V，最大7.8V
　　最大箝位电压（VC）：13.6V（在IPP=1A条件下）
　　峰值脉冲电流（IPP）：最大1A
　　峰值脉冲功率（Ppk）：100W（10/1000μs波形）
　　漏电流（IR）：最大1μA @ VRWM=5V
　　响应时间：典型值小于1ps
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +150°C

1S2076ARE 具备出色的瞬态电压抑制能力，能够在极短时间内响应外部高压瞬变事件，确保被保护电路的安全运行。其核心特性之一是双向导通结构，这使得它能够有效应对正负两个方向的瞬态过压脉冲，特别适用于交流信号线或可能承受反向电压冲击的场合，例如音频线路、差分数据线等。该器件的反向关断电压为5V，在正常系统电压不超过5V的应用中可实现无缝集成，不会对信号传输造成干扰。当电压上升至击穿阈值（最低6.4V）时，器件迅速进入雪崩击穿状态，并在13.6V以内将电压钳位住，即使在1A的峰值脉冲电流下也能保持稳定的保护性能。这种低箝位电压特性有助于降低对下游IC的应力，提升整体系统的可靠性。1S2076ARE 采用SOD-323小尺寸封装，不仅节省PCB布局空间，还便于自动化贴片生产，适合大批量制造需求。该封装具有良好的散热性能和机械强度，能够在高温高湿环境下长期稳定工作。器件的漏电流极低（≤1μA），在待机或低功耗模式下几乎不产生额外功耗，非常适合电池供电设备使用。同时，其高达100W的脉冲功率承受能力（基于IEC 61000-4-2标准测试条件）使其能有效抵御严酷的ESD事件（如±8kV接触放电）。整个器件通过AEC-Q101车规认证的可能性较高（需查证具体批次），可用于汽车电子中的辅助系统保护。此外，1S2076ARE 符合RoHS和REACH环保规范，不含卤素，支持无铅回流焊工艺，满足现代绿色电子制造的要求。其宽广的工作温度范围（-55°C 至 +150°C）也保证了在极端环境下的稳定性，适用于工业级和汽车级应用场景。

1S2076ARE 主要应用于需要对低压信号线进行高效ESD和瞬态过压保护的电子系统中。典型应用包括智能手机、平板电脑、笔记本电脑等消费类电子产品中的USB 2.0接口保护，防止插拔过程中产生的静电损坏主控芯片。此外，它也常用于HDMI、DisplayPort等高速接口的辅助电源或配置引脚保护。在通信领域，该器件可用于以太网PHY芯片的管理引脚、串行通信接口（如UART、I2C、SPI）的IO保护，避免因人为接触或电缆感应引入的瞬态电压导致系统复位或器件损坏。工业控制系统中的人机界面（HMI）、触摸按键、编码器信号输入端也可采用1S2076ARE 实现可靠防护。在汽车电子方面，尽管其功率等级有限，但仍可用于车载信息娱乐系统的辅助信号线、传感器接口、遥控接收模块等非主动力系统的低能量线路保护。医疗设备中对电磁兼容性要求较高的便携式监测仪器，也可以利用其低电容和快速响应特性来提升系统抗扰度。由于其封装小巧且易于布局，常被布设在PCB边缘连接器附近，作为第一道防线吸收外部冲击能量。配合保险丝或自恢复PTC使用时，还可构建更完整的过流与过压联合保护方案。总之，凡是有潜在静电威胁或瞬态干扰风险的5V及以下信号通道，均是1S2076ARE 的理想应用场所。
　　

SMBJ5.0A
　　SMF5.0A
　　ESD5Z5.0B