时间：2025/9/14 0:53:41
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1PS70SB46,115 是一款由Nexperia（安世半导体）制造的高频小信号双极性晶体管（BJT），主要用于射频（RF）和中频（IF）放大器应用。该晶体管采用SOT23（SC-59）封装，适合在需要高性能和高可靠性的无线通信设备中使用。它是一款PNP型晶体管，具有良好的高频特性和低噪声系数，适合用于低电压、低功耗的便携式电子设备。
晶体管类型：PNP
集电极-发射极电压（VCEO）：30V
集电极电流（IC）：100mA
功耗（PD）：300mW
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装类型：SOT23（SC-59）
频率范围：高达100MHz
电流增益（hFE）：最小110（在2mA时）
噪声系数：典型值为2dB（在100MHz下）
1PS70SB46,115具有出色的高频性能，适用于射频和中频放大器电路，其PNP结构允许在低电压环境下高效运行，从而降低功耗并延长电池寿命。该器件采用了先进的制造工艺，确保了良好的稳定性和一致性，同时具备较强的温度适应能力，可在恶劣环境下稳定工作。
该晶体管的封装形式为SOT23（SC-59），具有体积小巧、重量轻、易于焊接和安装的特点，适用于表面贴装技术（SMT），广泛用于现代电子设备的高频信号处理电路中。此外，1PS70SB46,115具有较低的噪声系数，使其在接收器前端电路中表现出色，有助于提高系统的信噪比。
该器件还具备良好的线性度和增益特性，适用于低频到高频的多频段应用。由于其优异的电气特性和稳定性，1PS70SB46,115广泛应用于无线通信、广播接收、传感器接口以及各类便携式电子产品中。
1PS70SB46,115 主要用于射频和中频放大器电路，常见于无线通信设备、FM接收器、RFID读卡器、传感器信号调理电路以及便携式音频设备中。该晶体管的低噪声和高频率特性使其非常适合用于信号接收前端，如低噪声放大器（LNA）和混频器电路。此外，它也可用于振荡器、调制器和解调器等高频模拟电路中。
由于其低功耗和小尺寸特性，1PS70SB46,115也广泛应用于电池供电设备，如移动电话、无线耳机、遥控器和物联网（IoT）设备。在这些应用中，该晶体管能够提供稳定的信号放大和处理能力，同时降低整体系统功耗，提高设备的续航能力。
BC846B, NPN型可替代（需注意极性）; 2N3906, PNP型通用高频晶体管; BF199, 适用于高频放大应用的PNP晶体管; MPSA56, 低压高频PNP晶体管
