时间：2025/7/25 7:33:55
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1PMT5950BE3/TR13 是一款由Microsemi（现为L3Harris Technologies的一部分）生产的N沟道增强型功率MOSFET。该器件专为高可靠性和高性能应用设计，适用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关以及电机控制等场景。1PMT5950BE3/TR13采用了先进的MOSFET技术，具有低导通电阻、高开关速度和优异的热性能，能够在高温和高电流条件下稳定工作。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏极电流（ID）：20A
最大漏源电压（VDS）：60V
最大栅源电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：典型值为0.045Ω（在VGS=10V时）
功耗（PD）：70W
工作温度范围：-55°C至+175°C
封装类型：TO-263（D2PAK）
引脚数：3
安装方式：表面贴装
1PMT5950BE3/TR13 MOSFET的主要特性之一是其低导通电阻，这有助于降低导通损耗并提高系统效率。该器件的RDS(on)在VGS=10V时仅为0.045Ω，确保在高电流条件下仍能保持较低的功率损耗。
其次，该MOSFET支持高达20A的连续漏极电流和60V的最大漏源电压，适用于中高功率应用。其±20V的栅源电压耐受能力提供了更宽的驱动电压范围，增强了设计的灵活性。
此外，1PMT5950BE3/TR13采用TO-263（D2PAK）表面贴装封装，具备良好的热管理能力，适合在高密度PCB设计中使用。其工作温度范围宽达-55°C至+175°C，适用于严苛环境下的工业、汽车和航空航天应用。
该器件还具有高雪崩能量耐受能力，能够在瞬态电压冲击下保持稳定运行，提升系统的可靠性和耐用性。快速开关特性也使其适用于高频开关电源和DC-DC转换器，减少开关损耗并提高响应速度。
1PMT5950BE3/TR13 广泛应用于多个高性能和高可靠性要求的领域。在电源管理方面，该器件常用于同步整流、负载开关、电池管理系统（BMS）以及DC-DC转换器设计中，其低导通电阻和高电流能力有助于提升整体能效。
在工业自动化和电机控制领域，1PMT5950BE3/TR13 可作为H桥驱动器中的开关元件，用于控制直流电机或步进电机的方向和速度。其快速开关特性和高耐压能力确保电机驱动系统的稳定性和响应速度。
此外，在汽车电子系统中，如车载充电器、电动助力转向系统（EPS）和车身控制模块，该MOSFET可提供可靠的高电流开关能力，适应车载环境的温度波动和电压变化。
由于其高可靠性和宽工作温度范围，1PMT5950BE3/TR13 也适用于航空航天和军工设备中的电源转换和功率控制模块。
SiHF60N06EY-T1-E3, FDD6688, IRFZ44N, AUIRF1324S-7PP-T
