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1PMT5941BT1G 发布时间 时间:2025/7/1 22:55:36 查看 阅读:7

1PMT5941BT1G 是一款由安森美(onsemi)推出的高效能 N 沯道 MOSFET 功率晶体管。该器件采用先进的 Trench 工艺制造,具备低导通电阻和高开关速度的特性,适合应用于各种需要高性能功率转换和开关的场景。
  该产品封装为 TO-263-3 (D2PAK),具有较高的电流承载能力和散热性能,广泛用于工业、消费电子及通信领域的电源管理电路中。

参数

型号:1PMT5941BT1G
  类型:N 沟道增强型 MOSFET
  封装:TO-263-3 (D2PAK)
  Vds(漏源极击穿电压):60V
  Rds(on)(导通电阻,典型值):4.5mΩ @ Vgs=10V
  Id(连续漏极电流):78A
  Pd(总功耗):180W
  Vgs(栅源极电压):±20V
  f(工作频率范围):最高支持至 500kHz
  结温范围:-55°C 至 +175°C
  存储温度范围:-55°C 至 +150°C

特性

1PMT5941BT1G 具有以下显著特性:
  1. 极低的导通电阻 Rds(on),能够有效降低传导损耗,提升系统效率。
  2. 高电流处理能力(最大 Id 达到 78A),适用于大功率应用场合。
  3. 优秀的热性能设计,允许更高的结温操作(最高 175°C)。
  4. 快速开关特性,有助于减少开关损耗,特别适合高频开关应用。
  5. 坚固耐用的设计,具备强大的 ESD 和雪崩保护能力,提高系统可靠性。
  6. 符合 RoHS 标准,环保且适合现代电子产品的绿色设计要求。

应用

1PMT5941BT1G 的主要应用领域包括:
  1. 开关模式电源(SMPS)中的主开关或同步整流器。
  2. 直流-直流(DC-DC)转换器中的功率级开关。
  3. 电机驱动应用中的功率控制。
  4. 太阳能逆变器及储能系统的功率调节模块。
  5. 工业自动化设备中的负载切换和保护电路。
  6. 汽车电子中的电池管理系统(BMS)和电动助力转向(EPS)系统。

替代型号

NTMFS4C706NL, IRFZ44N, FDP55N06L

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1PMT5941BT1G参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭单二极管/齐纳
  • 系列-
  • 电压 - 齐纳(标称)(Vz)47V
  • 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大)1.25V @ 200mA
  • 电流 - 在 Vr 时反向漏电1µA @ 35.8V
  • 容差*
  • 功率 - 最大3.2W
  • 阻抗(最大)(Zzt)67 欧姆
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳DO-216AA
  • 供应商设备封装Powermite
  • 包装带卷 (TR)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 其它名称1PMT5941BT1GOS