时间：2025/7/1 22:55:36
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1PMT5941BT1G 是一款由安森美（onsemi）推出的高效能 N 沯道 MOSFET 功率晶体管。该器件采用先进的 Trench 工艺制造，具备低导通电阻和高开关速度的特性，适合应用于各种需要高性能功率转换和开关的场景。
该产品封装为 TO-263-3 (D2PAK)，具有较高的电流承载能力和散热性能，广泛用于工业、消费电子及通信领域的电源管理电路中。
型号：1PMT5941BT1G
类型：N 沟道增强型 MOSFET
封装：TO-263-3 (D2PAK)
Vds（漏源极击穿电压）：60V
Rds(on)（导通电阻，典型值）：4.5mΩ @ Vgs=10V
Id（连续漏极电流）：78A
Pd（总功耗）：180W
Vgs（栅源极电压）：±20V
f（工作频率范围）：最高支持至 500kHz
结温范围：-55°C 至 +175°C
存储温度范围：-55°C 至 +150°C
1PMT5941BT1G 具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻 Rds(on)，能够有效降低传导损耗，提升系统效率。
2. 高电流处理能力（最大 Id 达到 78A），适用于大功率应用场合。
3. 优秀的热性能设计，允许更高的结温操作（最高 175°C）。
4. 快速开关特性，有助于减少开关损耗，特别适合高频开关应用。
5. 坚固耐用的设计，具备强大的 ESD 和雪崩保护能力，提高系统可靠性。
6. 符合 RoHS 标准，环保且适合现代电子产品的绿色设计要求。
1PMT5941BT1G 的主要应用领域包括：
1. 开关模式电源（SMPS）中的主开关或同步整流器。
2. 直流-直流（DC-DC）转换器中的功率级开关。
3. 电机驱动应用中的功率控制。
4. 太阳能逆变器及储能系统的功率调节模块。
5. 工业自动化设备中的负载切换和保护电路。
6. 汽车电子中的电池管理系统（BMS）和电动助力转向（EPS）系统。
NTMFS4C706NL, IRFZ44N, FDP55N06L
